2007年11月20日
Kyma Technologies，Inc。是超高纯度氮化壳（GAN）和氮化铝（ALN）材料及相关产品和服务的领先供应商，宣布其最近的数量运输2英寸直径C-Plane Aln Template基板。亚博网站下载
Kyma的ALN模板可提供沉积在蓝宝石或其他底物上的高度定向ALN的0.5微米厚的ALN层，直径高达100mm。它们代表了生产几种不同类型的硝酸晚期半导体设备的出色底物。
Kyma首席运营官Ed Preble博士说：“ Kyma的基于氮化物的模板提供了低成本的底物方法，可实现107 cm-2的位错密度，同时消除了难以控制的昂贵缓冲层流程的需求。”“我们的ALN模板的使用为客户提供了一种在蓝宝石，SIC或硅基板上的传统两元化或直接成核方案的有吸引力的替代品。”
“Our AlN templates have been shown to present excellent starting surfaces for subsequent growth of GaN layers by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and also by hydride vapor phase epitaxy (HVPE),” added Dr. Drew Hanser, Kyma’s Chief Technology Officer and VP Business Development. “We also have customers testing our AlN templates in molecular beam epitaxy (MBE) based processes and we are confident about the results.”
Kyma的许多ALN模板都是在C-Plane Sapphire上产生的，该模板使Aln具有C轴优选方向，该方向具有理想的特性，可用于核定的GAN薄膜。还提供了ALN方向和底物方向的其他组合。最近的货物包括在R-Plane Sapphire上种植的面向A-Plane的ALN，在导电SIC上生长的C-Plane Aln以及在100mm硅上生长的C平面ALN。
Kyma以客户的重点自豪，并提供灵活的商业模式，可以量身定制以确保客户满意度。Kyma总裁兼首席执行官Keith Evans博士解释说：“在当今世界，速度和灵活性至关重要。因此，尽管我们很乐意简单地提供底物，但我们也很乐意在客户的网站上建立ALN模板制造能力，并随后保持亲密关系或遥远的关系，具体取决于客户的需求。”
公司用来使ALN模板的制造过程受益于专门从北卡罗来纳州立大学获得许可的知识产权（IP），以及在Kyma开发的其他未申请的IP。