简化TEM样品制备使用JIB-PS500i FIB-SEM系统

帮助TEM样品制备,JIB-PS500i提供三个解决方案。从样品制备、TEM观察,保证高吞吐量的工作流。

特性

JIB-PS500i FIB-SEM TEM样品制备系统

图片来源:JEOL美国公司

TEM-Linkage

TEM和FIB函数之间的联系是通过应用双筒倾斜和TEM持有人从JEOL *。墨盒可以固定在独家TEM样品夹只有一个单一的联系。

标本将工作流与双筒倾斜*。

标本将工作流与双筒倾斜*。图片来源:JEOL美国公司

OmniProbe 400 *。

OmniProbe 400 *。图片来源:JEOL美国公司

标本:5纳米半导体器件设计规则(FinFET)观测条件:(左)加速电压2 kV,探测器SED二次电子图像,(中心和右)加速电压200 kV, TEM图像,仪器:JEM-ARM200F。

标本:5纳米半导体器件设计规则(FinFET)观测条件:(左)加速电压2 kV,探测器SED二次电子图像,(中心和右)加速电压200 kV, TEM图像,仪器:JEM-ARM200F。图片来源:JEOL美国公司

采用OmniProbe 400 *(牛津仪器)促进准确和无缝的操作和提货操作。OmniProbe 400 *的功能纳入JIB-PS500i的软件。

Check-and-Go

精确、高效地准备TEM样品,检查的准备进展至关重要。利用其high-tilt阶段和探测器计划,从FIB铣JIB-PS500i使平稳过渡到扫描透射电子显微镜(STEM)成像。快速转换从薄板加工干细胞成像导致成功的样品制备。

JIB-PS500i FIB-SEM TEM样品制备系统

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标本:碳化硅功率半导体器件观测条件:加速电压30 kV,探测器(左上)STEM-BF STEM-DF(右上角),(左下)SED二次电子图像,(右下)EDS地图紫色:艾尔黄色:Ti橙色:P蓝色:O格林:是的。我

标本:碳化硅功率半导体器件观测条件:加速电压30 kV,探测器(左上)STEM-BF STEM-DF(右上角),(左下)SED二次电子图像,(右下)EDS地图紫色:艾尔黄色:Ti橙色:P蓝色:O格林:是的。图片来源:JEOL美国公司

JIB-PS500i聚焦离子束FIB-SEM

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