使用高密度遥远的等离子体,产生更好的电影质量较低底物损坏,这ICPCVD流程模块的目的是使高质量的电影在低增长的温度下。
突出了
- 优秀的均匀性、高通量和高精密的过程
- 高质量的电影
- 宽温度范围内电极
- 兼容所有晶片尺寸200毫米
- 晶片尺寸之间的快速变化
- 低成本的所有权和可服务性
- 紧凑的足迹,灵活的布局
- 电阻加热电极与能力高达400°C或1200°C
- 现场室清洁和端点
- 灵活的蒸汽发送模块使沉积使用液体前驱的电影,例如,TiO2使用方式确定、SiO2使用张志贤
应用程序
- 在较低的温度,一流的、低损电影是可以实现的
- SiO2,如果3N4锡安,硅和碳化硅是常见的材料,沉积在衬底温度低至5ºC亚博网站下载
- ICP源大小的65毫米,180毫米,300毫米交付过程一致性多达200毫米晶圆
- 电极可用于温度从5ºC - 400ºC
- 专利ICPCVD气体分布的技术
- 原位室清洁与端点