牛津仪器PlasmaPro100ALE为下一代半导体设备提供精密进程控件系统数字周期扩展过程,专为GANHEMT应用和纳米层嵌入等流程设计,确保低损平面
- 低损耗
- 平滑伸展面
- 广博过程和应用
- 数字或周期取法进程-可与ALD相仿
- 极深控制
- 亚博网站下载完全适合纳米级层蚀刻(例如2D素材)
特征学
层变稀允许下一代半导体设备时,需要更加精确的流程控制创建和操作这些层PlasmaPro100ALE通过改善Cobra比较方案平台以及原子层刻定专用硬件提供此服务
- 向基底提供活性物种,并带一条甚至高导路穿过机房-允许高气流同时保留低压
- 可变高度电极-利用等离子体三维特征并按最优高度容纳薄达10毫米厚
- 流体控制电极再循环冷却机单元-优基温控制
- 广温范围电极(-150摄氏度+400摄氏度)可用液态氮冷却,流体再循环冷却器或阻抗加热-选用井喷和流体交换器可实现交换模式过程自动化
- IPC源码范围约65毫米、180毫米和300毫米提供进程一致性达200毫米瓦
- Wafer反向冷却-最佳微博温度控制
- RF驱动阵列提供统一的等离子处理LF/RF交换,允许精确控制膜压力
- 高泵容量-提供大过程压力窗口
应用
- 低损GANHEMT休眠电源电子器件和RF设备
- 亚博网站下载二维材料编程或稀释
- 小O2石英推理
- 南欧结构化SiO2西南市
- 固态激光插件
- 亚博网站下载三维素材
- VCSELGAS/ALGAS
- 硬掩码沉积和高清晰度LED制作