的EVG®6200元闻名自动化可靠性和灵活性,提供先进的掩模对准技术在一个紧凑的足迹区域最大吞吐量,所有权的总成本、优化和先进的校准功能。
的EVG®6200元软件操作简便,减少了时间的面具和工具修改,和有效的全球服务和支持,使其制造环境的完美的解决方案。
EVG6200 NT或fully-housed EVG6200 NT Gen2掩模对准系统可自动或半自动配置和配有集成振动隔离,实现良好的曝光结果为范围广泛的应用程序,如暴露的薄和厚的抗拒,模式深腔和类似的地形,以及处理薄而脆弱的材料,如复合半导体。亚博网站下载
此外,EVG专有SmartNIL技术半自动和全自动系统配置工作。
特性
- 系统设计支持光刻过程的多功能性
- 薄,精致,或扭曲的晶片处理多个晶片大小与快速转换时间
- 晶片或衬底大小从作品范围到200毫米/ 8”
- 可用性的吞吐量首次印刷180 WPH模式或140 WPH自动校准模式
- 自动无接触充电成为楔补偿序列与邻近间距器可用
- 具有实时补偿修正的动态校准功能
- 自动原点功能可用于精确定心定位键
- 支持新的UV-LED技术
- 有返工排序晶片管理和灵活的磁带系统
- 现场升级从半自动到完全自动化的版本
- 自动化系统上可用人工基质加载功能
- 减少系统的足迹和设施的需求
- 复杂的软件功能和全面和研发生产之间的兼容性
- 桌面或独立版本与减振花岗岩表
- 多用户的概念(无限数量的用户帐户和配方,不同的用户界面语言,和分配访问权限)
- 远程技术支持和宝石/秒兼容性
- 改良和敏捷转换处理
- 下面列出的是额外的功能:
- Nanoimprint光刻(零)
- 债券对齐
- 红外对齐
技术数据
来源:电动汽车集团
| 。 |
。 |
| 暴露源 |
汞光源/紫外LED光源 |
先进的对齐
特性 |
手动对齐/原位校准验证
自动对齐
动态校准/自动边缘对齐
对齐偏移校正算法 |
| 吞吐量 |
完全自动化:吞吐量首次印刷:每小时180晶片
完全自动化:吞吐量对齐:每小时140晶片 |
晶圆直径
(底物大小) |
200毫米 |
| 对齐方式 |
板面对齐:≤±0 5µm
底端对齐:≤±1,0µm
红外定位:≤±2,0µm /衬底材料不同
债券对齐:≤±2 0µm
NIL对齐:≤±3 0µm |
| 接触设置 |
真空接触/硬/软接触/邻近模式/ flex模式 |
| 楔形补偿 |
全自动- SW控制 |
| 曝光选项 |
间隔曝光/洪水风险敞口/部门曝光 |
| 系统控制 |
操作系统:Windows
文件共享和备份解决方案/无限。配方和参数
多语言用户界面和支持:CN、德、FR,摩根大通,KR
实时远程访问、诊断和故障排除 |
工业自动化
特性 |
盒/ SMIF FOUP /秒/珠宝/薄,鞠躬,扭曲,晶片边缘处理 |
| Nanoimprint光刻技术 |
SmartNIL® |