ToF-qSIMS工作站:在单个SIMS仪器中结合飞行时间和四极分析仪

隐藏分析的ToF-qSIMS工作站独特地集成了四极杆和飞行时间分析仪在一个单一的SIMS仪器。

表面是材料与周围环境相互作用的地方，允许污染，腐蚀，沉积和粘附亚博网站下载发生。TOF-QSIMS是定义和解决此区域此类问题的工具。

TOF分析仪具有高质量分辨率和高质量范围，使静态SIMS模式能够检测物种，特别是有机物，在材料的暴露表面上。分析仪设计用于将表面污染检测为单个原子薄;例如，诸如剥离涂层或粘合剂粘合的失效的污染，其可能稍后会影响产品操作。

只需一次扫描，ToF-qSIMS就能从表面生成所有分子和元素的图像(每个像素的全质谱)，使研究人员能够实时或多年后检查化学分布。

TOF-QSIMS四极杆分析仪用于高灵敏度的“深度”测量，具有纳米精度，如确定层结构，或者在半导体材料或硬工程应用中。亚博网站下载

该分析仪可以检测从氢到铀的所有元素，并在3D中成像它们的分布，从而提供了一种高度可靠的技术来定义材料的顶部微米。

配备高可靠的Hiden IG20气体离子源和自动化设置，TOF-QSIMS工作站可以很容易地用于生产环境，并允许科学家们享受此多功能工具的最新设置。

SIMS广泛用于涂层，航空航天，光伏，半导体，玻璃和制药行业以及冶金，通式和腐蚀分析。亚博网站下载

关键特性

• 飞行时间分析仪提供了平行检测的二次离子物种，非常表面特定的测量
• 高质量分辨率(>1500 M/∆M)和高质量范围(高达10 kg)的组合有助于收集特征指纹光谱，明确识别污染物，催化剂，药物和聚合物
• X四叠层允许高动态范围和超高分辨率深度分析，对动态SIMS进行改进
• X高光谱成像是对图像中的每个像素的质谱，并能够在数据采集后的任何时间对样品进行交互分析

飞行时间 - 完美静态SIMS分析

样品最初被低剂量的初级离子(低于10¹²离子每厘米²被认为是静态SIMS的最高剂量限制)，导致顶部单分子层的发射。

低剂量意味着分离的初级离子既影响原始区域，又溅射出巨大的特征碎片，可用于检测材料。ToF-qSIMS工作站的并行检测能力允许在超过静态极限之前采集整个光谱，而高质量的灵敏度提供富含高质量碎片的光谱。

同位素检测和特殊的质量分辨率使这种物种的明确检测成为可能。

保留了经过验证的MAXIM四极分析仪，使ToF- qsims在高深度分辨率、高灵敏度的深度剖面中具有不妥协的性能，四极或ToF检测。MCs⁺分析了锌在砷化镓半导体中的植入。图片来源:Hiden Analytical

质量分辨率通常为M/∆M 1500。很容易分开²⁸Si (27.977u)来自C₂H₄（28.031U）。图片来源:Hiden Analytical

剃刀刀片（视野2 mm²）．³¹润滑的CF。图片来源:Hiden Analytical

剃刀刀片（视野2 mm²）．²³Na来自热处理。图片来源:Hiden Analytical

剃刀刀片（视野2 mm²）．⁹⁴PT腐蚀防止切削刃。图片来源:Hiden Analytical

枪弹残留的镧系元素和弹药底漆中的铅同位素检测放在靠近发射火器的纸上。图片来源:Hiden Analytical