picosun®Sprinter ALD系统旨在破坏半导体（例如，电容器，晶体管和新内存），显示器和IOT组件行业的300 mm晶片生产线上的批量ALD生产。
在Picosun.®短跑运动员ALD系统，高 -K.氧化物，屏障和其他薄膜以大规模的生产体积的完美ALD沉积。
picosun®Sprinter完全自动化和认证到SEMI S2 / S8标准。它将领先的单晶片薄膜均匀性和质量集成在高吞吐量，快速处理和不妥协的可靠性*。
技术功能和性能数据
衬底尺寸和类型
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300毫米晶圆批量用于高通量ALD
- 允许双面涂层
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高达1：2500的高纵横比的样品
加工温度
PICOOS™操作系统/过程控制软件的主要特点
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Picosun自己，专有的，半兼容的调度程序
- 控制单个通用接口整个集群
- 每20毫秒都记录数据
- 趋势数据可以很容易地导出
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改进了恢复功能
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为MFMS和MFC提供基于EtherCAT的通信
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整个群集的常见事件日志
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在系统操作时可以在任何时间创建或编辑配方
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可自由可扩展和可配置的配方编辑器，无固定数量的步数和循环
- 访问权限可用于不同的用户级别
图片信用：PICOSUN
前体
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固体，液体，气体和臭氧
- 电平传感器可用于前体容器
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用于发光前体的恒定分配器作为选项（提供最多四个工具）
* picosun.®Sprinter ALD批处理数据300 mm Si Wafers，Al2O.3.作为示例的过程（按需提供更多数据）：
来源：Picosun.
| 范围 |
价值 |
| 薄膜厚度1σ不均匀，在晶圆内@ 200°C |
<0.5％ |
| 薄膜厚度1σ非均匀性，晶片到晶片@ 200°C |
<0.5％ |
| 膜厚度1σ不均匀，批量到批量@ 275°C |
<0.3％ |
| 薄膜厚度1σ不均匀，芯片到芯片@ 275°C |
<1.0％ |
| CR，Fe，Ni污染 |
<1 * 1010.AT / cm.2 |
| Al-蚀刻中的湿法蚀刻速率造成50°C的解决方案 |
〜2 nm / min @ t张≥300°C |
与垂直炉反应器相比，通常用于批量ALD加工，PICOSUN®短跑运动员ALD系统提供更高的胶片质量，热预算较低，非常适合温度敏感器件。
picosun®与垂直炉相比，短跑运动员ALD系统还通过较小的批量尺寸整合极其快速的处理时间。这使得能够更具生产力灵活性，并且还可以减少风险而不会影响吞吐量。
PicoSun的核心®短跑运动员ALD系统是破坏性开发的反应室，其中完全层的前体流动保证了理想的ALD沉积而没有任何寄生CVD生长。这减少了系统维护的要求。
picosun®Sprinter ALD模块可以合并到客户的制造线或集群中。它也适用于单个晶片制造线，因为它不会破坏过程流程。Sprinter系统与PICOSUN最新的PICOOS™操作系统和过程控制软件一起运行。
picosun®Sprinter已在芬兰制造，使用欧洲真空机器人和工艺模块。