在化石过程中，发生了吸收和掺入碳基质晶体结构的吸收和掺入。与固态基质相比，液态铜基质的最大碳含量要低得多，因此，在熔点上方加热后，金属基质被碳原子过饱和。HSMG®生长取决于液态金属基质的受控碳沉淀。
生长进展始于金属底物上单六角片的成核。在成核过程中，液体基质可以实现晶粒旋转和重排，从而带来了更大的晶粒尺寸和增强的石墨烯特性。该过程得到完全控制，并可以用确定数量的层制造石墨烯片。
稳定的负热系数
HSMG®样品在循环测试期间表现出抗相距抗性关系。
HSMG®电阻的温度系数：-1.7Å10-3÷-4·10-4[1/κ]
有效的气体吸收
HSMG®展示了可逆气体吸附（包括从气体混合物中的选择性氢吸附）的脆弱性，该漏气允许使用HSMG®作为未来气体传感器的功能材料。
单层高强度冶金石墨烯-HSMG®
Nomarski干扰对比度图像 - 成核期间的谷物排列