PICOSUN®R-200先进ALD系统的尖端研发

的PICOSUN^®R-200先进的ALD系统被设计用于多种应用的研发，如IC组件，led，显示器，激光，MEMS设备和3D对象，如镜头，珠宝，硬币，光学和医疗植入。

技术特点

典型的衬底尺寸和类型

• 3 d对象
• 迷你批次
• 粉末和颗粒yabo214
• 50-200毫米单晶片
• 156毫米x 156毫米太阳能硅晶圆
• 多孔，通孔，高纵横比（最多1：2500）

加工温度

• 50 - 500°C，等离子体450°C(650°C与加热卡盘要求)

典型的流程

• 艾尔₂O_3.，SiO.₂高频振荡器,₂,助教₂O₅氧化锌,ZrO₂, AlN TiO₂，锡，金属，如铂或Ir

基材装载

• 用气动升降机手动装载
• 使用集群工具加载磁带到磁带
• 半自动装卸机器人
• 带有磁操纵臂的负载锁定

前体

• 液体、固体、臭氧、气体、等离子体(*)
• 多达12个来源，6个单独的入口(7个，如果选择等离子选项)

选项

• 集群工具，RGA, UHV兼容性，卷对卷室，Picoflow™扩散增强器，N₂发电机，定制设计，天然气洗涤器，手套盒集成用于惰性加载

(*)等离子体发生器技术特点:

• 远程等离子体源安装在装载室，并与反应室连接
• 蓝宝石应用于不同化学物质，具有优异的粒子性能
• 商用微波等离子体发生器，可调300 - 3000 W功率，2.45 GHz频率
• 中间空间的保护气体流动(没有等离子体种的反向扩散)
• 在相同的沉积过程中，等离子体和热ALD循环的可能性不需要改变系统的硬件
• 以下相关标准用于评估电源的符合性：DIN EN ISO 12100：2011-03，DIN EN 60204-1：2007-06，DIN EN 61000-6-2：2006-03，DIN EN 61000-6-4：2011-09
• 该电源是为满足SEMI S2-0310的要求而开发和制造的

的PICOSUN^®R-200高级ALD系统是高级ALD研究工具的国际市场领导者，拥有众多客户安装。它已成为专注于创新的公司和研究机构的首选工具。

灵活的设计使最大质量的ALD薄膜沉积以及最大的系统灵活性，以适应未来的需求和应用。该专利热壁设计具有完全独立的入口和仪器，可适用于3D物体、晶圆和所有纳米尺度特性的各种材料的无颗粒处理。亚博网站下载Picosun公司拥有Picoflow™专有技术，即使在最坚硬的透孔、超高纵横比和纳米颗粒样品上也能获得优异的均匀性。

的PICOSUN^®R-200先进的系统配备了非常功能和易于交换的气态，液体和固体化学品前体源。极高效和专利远程等离子体选项，使金属沉积没有等离子体损坏或短路的风险。与手套箱、手动和自动装载机、特高压系统、集束工具、卷筒到卷筒室、粉末室和各种现场分析系统的集成，使高效和灵活的研究能够取得良好的结果，而不管研究领域目前是什么或将来可能成为什么。