电化学扫描探针显微镜:多模原子力显微镜的增加控制

多模®原子力显微镜(AFMs)系统Bruker的电化学(EC)系统是当今商业上可用的最具生产力的电化学(EC)系统,拥有比任何其他商业AFM更多的同行评审的EC出版物。Bruker提供三种强大的选项,用于执行电化学(EC)扫描探针显微镜:电化学扫描隧道显微镜(ECSTM),电化学原子力显微镜(ECAFM),扫描电化学电位显微镜(SECPM)。

Bruker的ECAFM模块与内置的电化学/ SPM软件一起为研究人员提供了灵活性,空间分辨率和易用性来分析广泛的范围现场,实时电化学过程,从UPD和吸附/解吸到腐蚀和电镀。每个选项包括一个恒流/双恒电位器,液体和电极附件,一个或多个液体电池,可以作为一个全新的多模式8小时的完整系统或作为一个当前多模式系统的附加组件。

启用多模EC模块

  • Bipotentiostat控制在大电流传感范围内,从0.1 na到100 mA
  • SECPM对于纳米级分辨率的电双层和原位成像或前瞻性映射的可能性分析
  • 电化学控制流体细胞的气氛阻止由于气体环境引起的流体和样品之间的反应性

Bruker的SECPM解决方案包括Bipotentiostat / Galvanostat,液体细胞和附件。

Bruker的SECPM解决方案包括Bipotentiostat / Galvanostat,液体细胞和附件。

扫描电化学电位显微镜

Bruker的独家Secpm是一种专利方法,提供潜在的映射或现场纳米尺度的电极表面成像。在固液界面上,电化学电位随双电层间距的变化而变化。SECPM在极性液体或电解质溶液中测量其电位探头和样品之间的电位差。此外,扫描隧道显微镜(STM)与SECPM相结合,提供了集成的灵活性、能力和两种方法捕获的图像和数据的比较。SECPM包括恒流/双恒电位器,液体电池和附件。

电化学扫描隧道显微镜

ecstm促进了实时现场电化学调节下溶液中电极表面的原子和分子分辨率的STM成像。ECSTM包括Galvanostat / Bipotentiostat,液体细胞和附件。

电化学原子力显微镜

ECAFM促进了实时现场电化学调节下溶液中电极表面纳米分辨率AFM成像。ECAFM包括一个恒流器/双恒电位器,液体电池和附件。

Bipotentiostat / Galvanostat.

Bruker的Bipotentiostiostat有助于研究人员通过渗透或电位地调节电化学过程。将电化学控制和数据采集组合到纳米镜中®SPM软件。电化学和地形数据同时被记录,因此可以立即得到两者的相关性。另外,还可以使用外部恒电位器。

配件/选项

  • 流体细胞成像
  • 信号访问模块
  • 温度配件
  • 电化学STM和AFM转换器
  • 电子和热应用模块
  • STM和低电流STM转换器

Pt(111)电极的STM图像在0.1mm Kcn + 0.1m KciO 4,以0.6V与Rhe拍摄。(a)在图像(b)之前拍摄了20秒。30 nm扫描。

Pt(111)电极在0.1 mM KCN + 0.1 M KCIO中的STM图像4拍摄0.6 V与Rhe。(a)在图像(b)之前拍摄了20秒。30 nm扫描。

采用20 nm STM原位扫描(A)和放大(B)对Cu(111)/云母(Au(111)/云母)亚单层膜在0.1 M H内的低电位沉积(UPD)形成的(√3×√3)R30 adlayer结构进行扫描2所以4+ 5 mM CuSO4-105 mV vs. Ag/AgCl。箭头定位了四个原子点缺陷。

采用20 nm STM原位扫描(A)和放大(B)对Cu(111)/云母(Au(111)/云母)亚单层膜在0.1 M H内的低电位沉积(UPD)形成的(√3×√3)R30 adlayer结构进行扫描2所以4+ 5 mM CuSO4-105 mV vs. Ag/AgCl。箭头定位了四个原子点缺陷。

在含有2mM CD(CiO 4)2 + 0.1M HciO 4的Cu(111)表面上,在-580mV与NHE的溶液中获得的溶液中CD(111)表面上的表面上的原位AFM图像。650 nm。

在含有2mM CD的溶液中获得的Cu(111)表面上CD的过电沉积的原位AFM图像(CIO42+ 0.1米HCIO4在-580 mV与NHE。650 nm。

Bipotentiostat规范
合规电压 ±12 V.
潜在的范围 -10到+10 v
潜在的上升时间 < 100µ年代
扫描速率 0.0003 ~ 10 V/S
最小潜在增量(CV) 0.3 mV
潜在的更新率 1 kHz.
当前范围 0至100 mA
当前的敏感性 10 nA至10 mA/V
当前的测量分辨率 <50 PA.
参考电极的输入阻抗 <1012ω.
最大采样率 100 Hz.
频带宽度 10khz在10ma /V
1千赫在10 nA/V
技术 简历,LSV

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