基于实验室仪器的标准X射线源是MgKα或AlKα，分别提供1254.6eV和1486.6 ev的光子。
采用了与Al Kα相同的石英晶体二阶衍射的单色Ag Lα x射线源;使其易于安装在最新的光谱仪上。
Ag Lα的光子能量为2984.2 eV;是Al Kα (1486.6 eV)的2倍。这种更大的能量不仅导致激发额外的，更高的束缚能，一些元素的核心线，(表1)，而且还可以选择更深的层分析，因为衰减长度随着光电子能的增加而减少2．
用Al Kα x射线计算，束缚能为285 eV的C 1s非弹性平均自由程(IMFP)在动能为1201 eV时为3.14 nm，而Ag Lα在动能为2699 eV时为5.89 eV3.．
表1。Ag Lα x射线范围内具有核心线结合能的元素，而Al Kα没有(*至少一半的双态)4
| 核心线 |
元素 |
| 1 |
Al Si P S Cl |
| 2 s |
是——莫 |
| 2 p |
Br -俄罗斯 |
| 3 s |
公关——再保险 |
| 3 p * |
Sm - Tl |
| 3 d * |
Tm - Rn |
下面提供的例子显示了来自单晶MoS的数据2样本。在图1中，使用Ag Lα(黑色)单色x射线源和Al Kα x射线源(红色)显示从“引入的”光谱，并将光谱归一化为Mo 3d峰强度。很明显，较高的Mo 2p和S 1s峰是用较高的光子能量激发的。
图1所示。从“介绍”MOS的调查光谱2；用Al Kα(红色)和Ag Lα(黑色)x射线制备单晶样品。插图显示扩展的低BE范围，与两光谱归一化Mo 3d峰强度。
在“引入”样品中的表征后，使用Ar气体聚类离子源进行蚀刻表面，并使用AR1000+在10kev束流能量下，试图减少相对于单原子氩溅射的表面损伤+离子。下面的示意图说明了气体簇与完美表面的相互作用，其中由冲击引起的损坏是局部的。另外，该图示出了用AlKα（红色）和AgLαX射线（蓝色）激发电子激发的电子的Mo 3D光电子突出深度。
下载申请须知获取更多信息
由于MO 3D光电子的更大动能使用AgLα激发，样品深度几乎是AlKα激发光谱的两倍。图2中所示的MO 3D光谱均在20秒蚀刻循环之后从相同的样品获得。注意，每个MO 3D自旋轨道分裂部件表现出与样品化学有关的双重。这些信封的曲线配合如图3所示。
图2。使用两个x射线源的表面和相对取样深度的Arn+离子团簇碰撞示意图。光谱显示为Al Kα(红色)和Ag Lα(黑色)x射线记录的Mo 3d/S 2s区域。
钼的三维包络层与未扰动的钼的两种化学态相吻合2，莫3d的地方5/2峰值出现在229.2 eV结合能处，金属类峰值出现在228.1 eV结合能处。
Al Kα激发谱中Mo (IV)与Mo(0)的比值为0.43,Ag Lα激发谱中Mo (IV)与Mo(0)的比值为1.25。由于Ag Lα的采样深度增加，因此可以用更高的激发能量源对未扰动的次表面进行额外采样。结果表明，两种x射线源的S 2s断面与Mo 3d断面有较大差异。
图3。曲线拟合了溅射MoS的Mo 3d/S 2s包络线2，采用Al Kα和Ag Lα激发源。
参考资料及进一步阅读
- K Yates & RH West, Surf。接口肛门。4,5
- MP Seah＆Wa Dench，Surf。界面肛门。，1979,1,2
- www.nist.gov
- x射线数据小册子LBNL/PUB-490 Rev.2 2001年1月