Henniker等离子体的可配置范围广等离子体蚀刻系统可用于化学和物理蚀刻应用，例如增强包括PTFE的含氟聚合物的润湿性，以及用于光致抗蚀剂去除。化学等离子体蚀刻用于“粗糙”在显微尺度上的表面。
使用反应性工艺气体蚀刻组分的表面。该材料精确地溅出，转化为气相并通过真空系统除去。
表面积显着增加，使材料容易润湿。在胶合，印刷和涂装之前使用蚀刻，并且主要用于处理POM和PTFE，例如，否则不能粘合或印刷。
物理蚀刻或反应离子蚀刻工艺使能量，反应离子的高度定向通量与材料表面具有高度方向的通量。通过这样做，在通过反应离子蚀刻未掩蔽的样品，将基板的精确控制的图案化进行。
所有Henniker等离子的等离子体系统都可以配置为反应离子蚀刻，使其成为有机电子或半导体研究等应用中的理想，经济的实验室开发工具。
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主要特征
- 驱动电极配置
- 用户友好的TFT软件控制
- 用反应气体操作
- 不间断可变功率输出
- 实验室/过程比例室卷从100mm直径开始
- 气体淋浴和温度控制选项