SENTECH公司的SI 500 D等离子体沉积工具代表了介质膜、SiC、a-Si和其他附加材料的等离子体增强化学气相沉积的前沿。亚博网站下载
该工具基于PTSA等离子体源，具有动态温度控制的基板电极，复杂的SENTECH控制软件，使用远程现场总线技术，分离的气体入口的反应气体，完全控制的真空系统，和易于使用的通用用户界面来控制SI 500 D。
的SI 500d等离子体沉积系统可以加工多种类型的基片，从直径达200毫米的硅片到放置在载体上的零件。单片真空负载锁定确保稳定的工艺条件，并使过程之间轻松切换。
组织了SI 500 D等离子体增强沉积工具用于沉积SiNx、硅、SiO2和锡安x薄膜的温度范围在室温到350°C之间。溶液用于沉积SiC、正硅酸乙酯和其他含有气体或液体前驱体的材料。亚博网站下载SI 500d是在最低温度下沉积有机材料上的高效保护屏障和在预先确定的温度下不变形沉积钝化膜的理想材料。亚博网站下载
SENTECH提供不同级别的自动化，从真空盒加载和单工艺室组成的6端口集群具有独特的沉积和蚀刻模块，目标是高吞吐量或高灵活性。SI 500d也可以作为集群配置的流程模块提供。
关键特性
- 激光终点探测
- 沉积层的特殊性质
- 最小的压力
- 高击穿电压
- 低腐蚀率
- 在低于100°C的沉积温度下，极低的界面态密度允许沉积薄膜具有特殊的性能
- 基材无损伤
- 优良的高密度等离子体
- 动态温度控制
- 带有动态温度控制的衬底电极包含衬底背面温度传感和He背面冷却的组合。
- 平面ICP等离子体源
- SENTECH专有的平面三螺旋天线(PTSA) ICP等离子体源允许非常高效的低功率耦合
- 可选的衬底偏置