DLS-83D＆DLS-1000深级瞬态光谱系统

深能级瞬变光谱(DLTS)最初于1974年[1]问世，至今仍是表征传统和更奇异的半导体材料、结构和器件中杂质和电活性缺陷引起的深能级陷阱最灵敏的方法。亚博网站下载描述这些陷阱使研究人员能够开始控制和调整这些杂质和缺陷的影响。Semilab自1989年成立以来一直提供领先的DLTS设备。app亚博体育

DLTS测量包括在不同温度下拍摄的电压或电流脉冲之后的连续电容测量。深度陷阱被识别为特定温度的电容信号的变化。观察到捕集器的温度与陷阱的特征活化能量有关。几种不同的低温恒温器，从简单的LN2浴（〜77k）到低振动闭合循环，他可以允许在各种半导体材料上进行测量。亚博网站下载

DLTS广泛用于硅外延层的污染分析，特别是:

• 硅原料(晶片碎片)
• Bi-CMOS / DMOS结构设备
• CMOS图像传感器（CIS）
• 电荷耦合器件成像仪(CCD)

该技术也被用于非硅材料:亚博网站下载

• 碳化硅-功率半导体，倍伏打器件
• 砷化镓 - rf
• 锗
• 氮化镓
• 压电形成的2D电子气体（2deg）
• 亚博网站下载用于红外传感器的材料和焦点阵列（Ingaas，Gasb，HGCDTE）。

dls - 1000 & dls - 83 d

Semilab提供两种DLTS测量系统，DLS-83D和DLS-1000系统。这两种系统都提供了一个交钥匙自动DLTS测量软件，以帮助解释和识别测量曲线，使研究人员能够专注于他们的材料工程。亚博网站下载基于Windows 10的WinDLS软件通过一个广泛的材料库自动识别和测量许多陷阱。多种模式，包括瞬态数字化，可用于区分和表征不同的陷阱状态。

DLS-83D是学术研究的理想选择，因为它提供了良好的灵敏度，价格低廉。的dls - 1000具有更低的噪音，是硅晶圆制造商和最先进的研发用途的领先的高灵敏度测量系统。

全系列测量模式

• 温度扫描
• 频率扫描
• 直接瞬态记录和数字化
• 电流 - DLT（I-DLT）
• 光激发(Optical-DLTS)
• 深度剖析
• I-V、C-V和G-V表征
• 激活能量和捕获横截面测量

基于Windows 10 Windls软件允许在操作期间全自动数据采集和温度控制

• 广泛的软件支持，包括定制的自动化测量序列，
• 完整的库数据库，用于准确污染识别

特性和系统规格

• 最大灵敏度(2×10⁸原子/厘米^3.）检测痕量污染
• 广泛的低温恒温器选择不同的温度范围:

• 低振动低温恒温室<30k-400K（可选最多800K）
• 封闭循环氦低温恒温器从<30K到325K
• 自动LN2低温恒温器，受控LN2流量从80K到800K流
• 浴式LN2低温恒温器80K-450K

• 模拟和数字设置控制，操作方便
• 完整的计算机控制，具有宽范围的软件支持，完整的库数据库，用于准确污染识别

测量在毫克₂Si - 温度扫描和各种锁定频率的相应Arrhenius-图。图片来源:Semilab

DLS-1000系统是用于工业半导体生产的市场领先地位DLTS解决方案。由于主测量单元的出色信号与光噪声比，杂质检测中的唯一高灵敏度（低于2 * 10以下⁸原子/厘米^3.）.DLS-1000提供了一种全自动测量模式和测量数据的完整解释，包括浓度测定和杂质识别，用户交互需求最小。

DLS-1000是一种多功能系统，用于监测和表征由完整器件和半导体材料中的缺陷和杂质引起的深层水平。亚博网站下载该系统适用于确定与深部圈闭有关的所有参数，包括捕获截面、能量水平和浓度分布。SEMILAB DLS系统支持瞬态数字化，因此改善和促进了陷阱状态的区分和表征。

测量在毫克₂基于数字数值分析和温度扫描分析的Si - Arrhenius图。数字瞬态分析显示的可能陷阱水平用箭头标记。图片来源:Semilab

参考：

“深能级瞬态光谱学:一种描述半导体陷阱的新方法”，《光谱学与光谱分析》。理论物理。第45卷第5期7、第3023-3032页，1974年7月，doi: 10.1063/1.1663719