衬底的整个表面,有时在连续的不间断的薄膜形式与薄膜涂层施加。然而,大多数时候,被施加的任何具体材料的最终形式被图案化。因此,只有某些特定区域涂,而其他人保持未涂覆。
薄膜沉积工艺
达到这一效果有两个主要方法,即减去或蚀刻后处理;和添加剂,或升降过程。消减,或回蚀工艺涉及到整个表面的涂层,随后通过去除选择部分,以形成期望的图案。
某种物理掩蔽剂在图案生成步骤,通常使用,然后去除部分的不被适当类型的蚀刻系统的的其他手段破坏任何东西。
在添加剂,或剥离工艺,涉及某种形式的物理掩蔽剂的图案生成步骤之后是在涂覆过程类似于使用模版的。掩模中的开口允许获得施加到实际基板仅所需的图案。过量的,当掩模抬离在掩模顶端向上被除去。本文讨论这个翘起薄膜沉积工艺。
图案规范是选择PVD过程中的主要问题,用于提升。如果图案尺寸和公差相对较大,可以使用物理掩模。掩模需要光致抗蚀剂以用于较小的尺寸,更严格的公差和更清晰的线路分辨率。
此外,为了获得在微米或更小的尺寸良好的结果,在沉积蒸气斯塔姆需要具有成直角的表面的掩蔽衬底上的长的平均自由路径并撞击。前者需要低腔室压力,通常低于10-4乇,而后者典型地需要一个相对长的投射,这标志着源与基板之间的距离。
由于上述原因,选择的PVD过程通常是热蒸发。源通常被放置在一个垂直的圆柱形室的底部的中心,而衬底支架是圆顶,在垂直轴旋转中心上方的源极在18英寸以上。衬底保持器通常弯曲的,即,具有曲率的一些半径的球体的一部分。投影距离和曲率半径必须相等升空。
蒸气粒子行进在平行于在yabo214拱顶上的所有点。每个粒子是在一个直接径向线和将击中直角圆顶表面,这将是与曲面相切在该特定点的平面。该条件产生所需的最佳图案精度弯曲拱顶表面上的垂直入射。
然而,与该理想的弯曲表面相比,基材最平坦,导致偏离完全垂直的入射。用于更好的精度升降模式的拇指很好的规则是将此角度误差保持在5°以下。
对于像在标准模具圆顶半导体晶片的衬底,所述蒸汽流是在垂直于晶片中心和增加向边缘。在此,最佳的错误的存在依赖于晶片直径相对于所述投射距离。更大的晶圆需要较长的投影距离,以获得高分辨率翘起的结果。而且,更长的距离需要一个较长的平均自由程,其表示更好的真空压力。
有关剥离工具的另一个关键的事实是,虽然投影距离在整个拱顶保持恒定,将有在穹顶的中心在从它的最佳的固有蒸镀速率滴直接通过源,以降低值接近周边。
根据克努森定律,这必须遵循蒸镀流的角度从零(垂直)越来越偏离在中心的上限在圆顶周边一个假设的余弦曲线。
沉积厚度的这个固有的非均匀性,必须通过一个固定的屏蔽掩模其间圆顶和源一起工作圆顶旋转偏移,以成功地阻止的较重的中心沉积的一部分将其降低到相同的水平沉积在周边。
在掩模的设计形状细节发挥至关重要的作用以获得最佳的厚度均匀性。这种均匀性掩模是大规模的固定阻挡掩模在其后面的圆顶旋转并且是从细级图案化掩模(光致抗蚀剂),其旋转与圆顶/基板有些不同。
结论
剥离PVD薄膜沉积工艺是一种非常有用的技术,特别是当选择性回蚀刻是因为对于具体的材料合适的选择性的蚀刻剂的使用的不可用性的复杂或不可能的。亚博网站下载
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