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砷化镓铝半导体

砷化镓铝(AlxGa1-xAs)是一种半导体材料,其晶格常数与砷化镓几乎相同,但带隙更大。公式中的x是介于0和1之间的数字,表示砷化镓和砷化铝之间的合金。

带隙在1.42ev(GaAs)到2.16ev(AlAs)之间。当x<0.4时,带隙是直接的。

应用

砷化镓铝的应用包括:

  • 它被用作GaAs基异质结构器件的阻挡材料。
  • 通过Algaas层将电子局限于砷化镓区域。这种装置的一个例子是量子阱 - 红外光电探测器(QWIP)。
  • 它还可应用于1064nm(红外)激光二极管。

化学性质

砷化镓铝的化学性质如下:

化学性质
化学式 阿尔加斯
III-V
带隙 1.42-2.16电动汽车
带隙型 当x<0.4时直接
晶体结构 闪锌矿
对称群 TD2.-f43m.
晶格常数 5.6533+0.0078xÅ

电性能

铝镓砷化物的电性能是:

电性能
内在载体浓度 x = 0.1 2.1•105厘米-3
x=0.32.1•103厘米-3
x=0.52.5•102厘米-3
x=0.84.3•101厘米-3
电子迁移率 02 V.-1秒-1
0.452
v-1s-1
空洞流动性 370-970x + 740x2 cm2.v-1s-1
电子扩散系数 02 / s.
0.452/s
空穴扩散系数 9.2-24x + 18.5x2 cm2./
电阻率 x = 02 / s
0.452/s

热,机械和光学性能

砷化镓铝的热性能、机械性能和光学性能如下:

机械性能
熔点 1414℃
密集 2.329克厘米-3
杨氏模量 130-188 GPa
剪切模量 51-80 GPa
体积模量 (7.55 + 0.26x)•1011达克厘米-2
比热(@298K) 0.33+0.12倍焦耳克-1°C.-3
热性能
导热系数 0.55-2.12x+2.48x2宽厘米-1摄氏度-1
热扩散率 0.31-1.23x+1.462 cm2s-1
热膨胀系数 2.6x10-6°C-1
光学特性
红外折射率(@300 K) n = 3.3-0.53x + 0.09x2

安全信息

砷化铝镓的毒理学尚未完全研究。灰尘可能会刺激眼睛、皮肤和肺部。

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