2013年4月19日
锑化镓（GaSb）是一种由锑和镓制成的半导体，属于III-V族半导体。GaSb的晶格常数为0.61nm。GaSb独特的晶格结构使其能够用于复杂的半导体应用。例如，西北大学量子器件中心的研究人员于2013年1月开发了有史以来第一款由锑化镓/砷化铟制成的双模被动和主动红外相机芯片。
应用
锑化镓可应用于：
- 红外探测器，
- 红外发光二极管，
- 晶体管
- 雷射
- 热光电系统
化学性质
锑化镓的化学性质如下表所示：
| 化学性质 |
| 化学式 |
煤气 |
| 分子量 |
191.483克/摩尔 |
| CAS号。 |
12064-03-8 |
| 化学名 |
锑化镓（III） |
| 组 |
III-V |
| 带隙 |
0.726ev |
| 带隙型 |
间接的 |
| 晶体结构 |
闪锌矿 |
| 对称群 |
TD2.-F43m |
| 晶格常数 |
6.09593埃 |
电性能
下表提供了锑化镓的电气特性：
| 电性能 |
| 本征载流子浓度 |
1.5x1012厘米-3 |
| 电子迁移率 |
≤ 3000厘米2.v-1s-1 |
| 空穴迁移率 |
≤ 1000厘米2.v-1s-1 |
| 电子扩散系数 |
≤ 75厘米2.s-1 |
| 空穴扩散系数 |
≤ 25厘米2.s-1 |
热、机械和光学性能
锑化镓的热、机械和光学性能如下表所示：
| 力学性能 |
| 熔点 |
712摄氏度 |
| 密集 |
5.614克厘米-3 |
| 体积模量 |
5.63•1011达因厘米-2 |
| 热性能 |
| 导热系数 |
0.32瓦厘米-1摄氏度-1 |
| 热扩散率 |
0.23厘米2.s-1 |
| 热膨胀系数 |
7.75x10-6摄氏度-1 |
| 光学特性 |
| 折射率（293 K时为589 nm） |
3,8 |
| 辐射复合系数（@300 K） |
10-10厘米3.s-1 |
安全信息
| 安全信息 |
| 全球统一制度危险声明 |
H302吞食有害
H332吸入有害
H401对水生生物有毒 |
| 安全注意事项 |
S 61 |