2013年3月27日
砷化镓是一种III / V半导体、高电子迁移率和高饱和电子速度相比,硅,使晶体管的砷化镓在超过250 GHz频率函数。
砷化镓器件对热不敏感,因为他们的宽禁带。此外,这些设备通常比硅低噪音设备,特别是在高操作频率。
应用程序
砷化镓下面列出的应用程序:
- 砷化镓可以用来制造设备,如单片微波集成电路,微波频率集成电路,红外发光二极管、太阳能电池、激光二极管和光学窗口。
- 砷化镓有直接能带与其他半导体暗示它可以发光效率高。直接带隙材料,它抗辐射损伤,使其在光学窗口和使用空间高功率电子学的应用程序。
- 也用作电气衬底和提供自然隔离电路和设备。这使它适合于毫米波和微波集成电路。
- 基于砷化镓太阳能电池功率的机会和精神漫游者,正在探索火星表面的。大量的太阳能汽车使用砷化镓太阳能电池阵列。
- 砷化镓二极管用于检测x射线。
化学性质
砷化镓的化学性质提供了下面的表格:
| 化学性质 |
| 化学公式 |
砷化镓 |
| 分子量 |
144.645 |
| 化学文摘登记号 |
1303-00-0 |
| 国际命名 |
砷化镓 |
| 集团 |
III-V |
| 带隙 |
1.424电动汽车 |
| 带隙型 |
直接 |
| 晶体结构 |
闪锌矿 |
| 对称群 |
Td2-F43m |
| 晶格常数 |
5.4505 |
电气性能
砷化镓的电特性提供了下面的表格:
| 电气性能 |
| 内在载体浓度 |
1.79 x 106厘米3 |
| 电子迁移率 |
≤8500厘米2V1年代1 |
| 空穴迁移率 |
≤400厘米2V1年代1 |
| 电子扩散系数 |
≤200厘米2年代1 |
| 孔扩散系数 |
≤10厘米2年代1 |
热、机械和光学性质
热、机械和光学性质的砷化镓提供表如下:
| 机械性能 |
| 熔点 |
1238°C |
| 密度 |
5.3176 g厘米3 |
| 杨氏模量 |
平均绩点82.68 |
| 体积弹性模量 |
平均绩点75.5 |
| 热性能 |
| 热导率 |
0.55 W厘米1°C1 |
| 热扩散率 |
0.31厘米2年代1 |
| 热膨胀系数 |
5.73 x106°C1 |
| 光学性质 |
| 折射率(589海里@ 293 K) |
3,3 |
| 辐射复合系数(@ 300 K) |
7 x10-10年厘米3年代1 |
安全信息
| 安全信息 |
| gh风险声明 |
NA |
| 危险代码 |
T-Toxic
N -危险的环境 |
| 风险代码 |
R23——由吸入有毒
R25:如果吞下有毒
R50:很对水生生物有毒
R53:可能产生长期不良影响在水生环境 |
| 安全预防措施 |
20/21 - 28 - 45 - 60 - 61 |
来源:AZoM