磷化镓(GaP)半导体

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描述
应用程序
化学性质
电气性能
热,机械和光学性能
安全信息

描述

磷化镓(间隙)是一种看起来浅橙色的多晶化合物半导体,具有2.26eV的间接带隙。没有掺杂的单晶晶片具有清晰的橙色;然而,由于自由载体吸收,掺杂的晶片非常暗地看起来更暗。它不溶于水,无味。用于获得n型半导体的掺杂剂是碲或硫。对于p型半导体,使用锌。

应用程序

磷化镓用于制造低成本的红色,橙色和绿色发光二极管(LED),具有低至中等亮度。它的寿命在更高的电流下相对较短,并且在寿命期间对温度敏感。它可以单独使用或与砷化镓磷化物一起使用。

绿光由纯磷化镓发出,波长为555 nm。掺氮的GaP能发出565 nm波长的黄绿色光。掺杂氧化锌的GaP能发出700 nm波长的红光。对于红光和黄光,磷化镓是透明的,因此GaAsP-on-GaP led比GaAsP-on-GaAs更好。

化学性质

磷化镓的化学性质提供在下表中:

化学性质
化学式 差距
分子量 100.697
化学文摘登记号 12063-98-8
国际命名 Gallanylidyneph alphany.
集团 III-V
带隙 2.26 EV.
带隙型 间接
晶体结构 闪锌矿
对称群 Td2-f43m.
晶格常数 5.4505Å.

电气性能

磷化镓的电性质提供在下表中:

电气性能
内在载体浓度 2.7 x 10.6厘米-3
电子迁移率 ≤250厘米2V-1年代-1
空洞流动性 ≤150厘米2V-1年代-1
电子扩散系数 ≤6.5厘米2年代-1
孔扩散系数 ≤4厘米2年代-1

热,机械和光学性能

磷化镓的热,机械和光学性质在下表中提供:

机械性能
熔点 1477℃
密度 4.138 g厘米-3
年轻的模量 8.8 x 1011
热性能
导热系数 1.1 W厘米-1°C.-1
热扩散率 0.62厘米2年代-1
热膨胀系数 4.65x10-6°C.-1
光学特性
折射率(589 nm @ 293 K) 3, 02年
辐射重组系数(@ 300 k) 10-13年厘米3.年代-1

安全信息

安全信息
gh风险声明 H319-引起严重的眼睛刺激
H335-引起呼吸刺激
安全预防措施 不慎与眼睛接触后,请立即用大量清水冲洗并征求医生意见

来源:AZoM

引用

请在你的文章、论文或报告中使用下列格式之一来引用这篇文章:

  • APA

    Showa Denko KK。(2013年9月10日)。磷化镓(间隙)半导体。Azom。7月31日,2021年7月31日从//www.washintong.com/article.aspx?articled=8347中检索。

  • MLA

    Showa Denko KK。“磷化镓(间隙)半导体”。氮杂.2021年7月31日。< //www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=8347 >。

  • 芝加哥

    Showa Denko KK。“磷化镓(间隙)半导体”。Azom。//www.washintong.com/article.aspx?articled=8347。(访问于2021年7月31日)。

  • 哈佛大学

    Showa Denko KK。2013年。磷化镓(GaP)半导体.Azom,于2021年7月31日,//www.washintong.com/article.aspx?articled=8347。

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