P-dept聚用CC2/HBR混音

i-did聚硅使用₂HBR混合多处理步骤异步和平滑刻板墙看似极佳亚博网站下载并讨论多硅和遮罩材料的嵌入属性

细节实验

描述有选择、平滑和异步嵌入pdoped聚硅的方法

程序使用

标准13.56MHz并行反射离子电解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解解Minilock二号中的一些特征列举如下:

• 偏差电极直径为200毫米,可用液热交换系统冷却或加热
• 直径地面电极为400毫米
• 低电极温度维护小于75oC用于光阻掩码应用
• 范围组合c₂HBR电量介于100W-400W和进程压力介于10MTORR-500TORR图1显示

图1ech速率pd多线性子机对RIE电源

实验观察

在没有HBR的情况下进行了初步裁剪实验,以确定过程压力和RIE功率这两项参数对异步率和拉希率有显著效果增税率显示高压和偏差力高压下检图2显示pdope聚硅对RIE功率

图2ech速率pd多线性子机对RIE电源

RIE-Etch

实验结果列举如下:

• 观察到压力小于50mor
• 光阻基于氯过程在低压下仅为1.5比1
• 可选择二维二层地下测量为6:1氯基过程很容易渗透本地地表氧化层,适合多步进程的第一步
• 嵌入表面完成得很好,但侧墙偏向是因为光阻面罩回溯反射RIE嵌入式单片机结构图3显示

图3SEM相片用RIE带分聚硅结构(2m伸展深度)

SIE-Eching使用ICP

偏差功率超过400W导致光阻处理约1分钟后碳化使用比较方案观察如下:

• 奇怪的是,当偏差功率为400W时,取值率远比没有比较方案低
• 比较方案功率定在600W,以确保比较方案拉速率与免比较方案拉速率相同
• 增加量比较方案通过稀释室内氯富集度,在降低拉希速率方面起了重要作用。
• 比较方案没有提高多子二维或光阻选用率推断比较方案加法无助于进程
• 过程压力定在30mTorr低压拉速率极慢,似乎不切实际,面罩开始显示明显的侵蚀信号
• 取最大拉特率,气流50秒氯30mrr和400W
• 当气流水平下降到25秒以下时,据观察拉特率会大幅下降

迄今记录到的观察结果导致决定氢化溴必须加法提高二氧化硅过程选择性需要双级技术,因为HBR无法穿透多硅原生氧化层

RIE-Etching使用hBR

技术细节列举如下:

• 第一步包括15xx推理过程,然后纯HBR过程,以努力提高PR和SiO选择性₂.氢溴化速度约二分之一氯
• 80scm气流相同偏差功率和压力提高摄像阻塞5倍至7.5:1
• HBR进程超载到二维二分层,该二分层位于聚二分机下2分
• 20-50Q测量二氧化二亚
• 选择范围为100:1至250:1异步取法大有改善,光阻显示无侵蚀迹象图4显示SEM图像使用hBr

图4SEM相片使用hBr

RIE-Etching使用HBR/Cl₂混合式

高取速率需要时,在氢溴中添加氯将两个流程中最优集成以获取合理快取速率

技术细节列举如下:

• A50-50混合HBR和CL₂总气流百分数与前一流程相同偏差功率和压力可实现约3500+
• 最小化为4:1光阻二氧化物选择使用纯HBR溢出进程清理二氧化物表面仍可维护图5显示SEM图像使用HBR/Cl₂混合式

图5SEM相片使用HBR/Cl₂混合式a.超时2分钟b.超载六分钟

万一样本允许多取4分钟 后初始2分钟 共达6分钟这使得二元表面变得非常干净 并有最小面罩下插

结论

三级反应离子蚀刻过程₂和HBR切片速度为每分钟3500°A并选择摄像阻塞约4:1超值过程开发使用纯HBR选择拉加多硅速度比二氧化二氮快约100倍可进一步优化高功率

亚博网站下载这些信息取自Trion技术提供的材料并经过审查修改

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