Orion+HeliumI

图形二维电子属性显示它有可能函数导体、晶体管、量点、分子切换器或其他设备自石墨显示弱绑定平面后,传导基本为二维,不论石墨与基或自由空间悬浮

横向封存导路对工程这些属性是必要的半导线纳米机丝带宽度下降20纳米以下,带宽超出室温热能,打开生产晶体管的门,高离岸电流比

创建GapeneNanoribbons

需要一种方法创建宽度小到生成量子约束并产生期望带宽然而,许多图案图文进纳米词框技术有缺陷抗衡基平面图仅显示丝带生成达数万纳米宽度过程还留残留物在图案上引起波纹,需要额外清洗步骤这种方法在独立石墨上也不可行扫描探针方法虽然提供高空间分辨率,但缓慢-无法用于独立石墨使用传统LMISFIB无法创建足够窄的结构并给层造成重大损害

hiumIon显微镜-ion Machining

hium离子显微镜显示高精离子解析成像高面敏感度以便检查石墨生成模式纳米核素可机窄深入量子封存机制并保持长方比透视石墨的剂量比典型图像高2级量级,因此非损耗性图像有可能直达显微镜系统简单磨机模式可用ORIONPLUS软件接口创建比较复杂策略的平面图模式生成器可受波束方向盘控制说明下方能力 通过突出HE研究

卡尔宰斯大赛

Nano-ribon编译由Daniel Pickard新加坡国立大学存取悬浮石墨时,使用三百纳米面氧化物的硅瓦法,并刻入数组3微米直径折叠图形小板下划单层厚度石墨沉积法光干扰用于判定层计数,特别是识别石墨区直离子线笔迹实现时处理hium波束,通常是30kev波束能,并配有Nanigrom模式生成系统(NPGS,取自JC Nabity线程系统,Bozeman和Montana)。

图1.悬浮纳米机左转 :20牛顿宽右转 :10nm宽

图1可视化系统并显示两个纳米机编译结果图像自上而下视图基底休眠之一,本例覆盖1至3层石墨左侧三百纳米长丝带创建,二百二十纳米长悬停休宽度编程为20纳米,悬浮侧比11比1程序宽度与图像所观测灰度最大半匹配右侧带350纳米长,240纳米悬浮宽度为10纳米,悬浮侧比24比1方便地说 所建结构可用同波波用高信号建模显微镜显示强表信号经观察确认 小板在这个厚度上几乎不透明悬浮带与基底对比度仅为17%有了创建如此长结构的能力后,便有可能模式化源与排水线接触之间的纳米词串以制作功能测试设备

图2.卡通表示纳米机研磨策略

流程的两个方面是离子磨法和剂量控制磨坊策略发现关键是 尽量减少丝带编组期间 横向压力纳米词框通过创建两个槽组成,图2卡通中插图所选槽宽度取决于丝带设计宽度和长度,但显示宽度达5nm插槽完成后解剖带解剖切片切片光束指向下片图2数字标签说明顺序

图3.machining数列判定离子剂量多斯表示每样本,单位为10^18号离子/cm².

过程控件的第二方面应用剂量实验性判定图3显示剂量序列一组带状网状梳子切片,每组梳子递增高剂量图中的剂量(xx10)^18号离子/cm²)表示相邻梳理案例2.79x10^18号离子/cm²需要完全清除梳理10秒内可创建此结构

图4.5纳米宽带机悬浮石墨60比1宽比

机械化策略定义后,可进一步探索磨精度图4显示纳米树宽5纳米宽,方位比为60:1因石墨高强度, 复杂形状也可以生成

图5.纳米机提升宽度

图5中编译带宽度不定端值20纳米后段宽度下至10纳米后最后到5纳米这使机器结构有可能定义表达不同行为sqzag取向可生成带轮椅或zigzag取向研究量点生成的设备可以通过带窄广度制作任意电子传输结构可高速处理,高空间分辨率并提供即时检验能力当应用注解聚焦悬浮图案时 磨图还直接展示在基底

OrionQ+Captacity

纳米计精度离子研磨高空间分辨率成像 也强调地层细节 使用非污染物离子图形模式工具接口

应用

图形层建模和检验纳米级特征直接写字设备制造

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