赞助者莫西2024年3月27日Louis Castel评论
快速演进半导体制造行业的精度和可靠性至关重要,选择右消能材料对实现电子设备性能最大化至关重要。亚博网站下载以其特性和适配性,玻璃在各种潜在材料中占有突出位置。文章探索玻璃消能并检验特征,使其格外适合此目的
机器人臂带硅片处理图像信用:IStock系统
理解半导体传递
理解消毒过程半导体制造关键前拆开玻璃素材钝化是指对金属或金属合金表面应用保护层以增加对环境因素的抗药性
分层材料可以是有机或无机高电绝缘和强联通基底并有能力防止化学物种入侵钝化对于预防退化和确保半导体的长期可靠性至关重要。一二二
为什么要用Glass消毒
Glass独特组合属性,使它成为消能最受青睐的选择可多方式编译,常见类型包括Pb-Si-Li、Zn-B-Si和Pb-Zn-B
亚博网站下载制造商可制造满足低高压电气规范的玻璃,匹配半导体材料热扩展系数并满足低温处理需求3,4
玻璃化学耐用性,对外部元素提供惰性屏障,包括水分和污染物可能影响半导体性能
高透明性某些玻璃像二叉石玻璃,使它完全适合光学等关键特性项目透明度提高能量传输和吸收效率,半导体装置和太阳能电池总体性能提高5,6
半导体传递方式如何
玻璃杯可用几种不同方法沉入半导体选择消能方法取决于数项因素,包括半导体具体需求、消能层所需属性和制造设备所用过程使用多种方法实现半导体制造中的玻璃消能7
- 化学蒸发沉降器,包括等离子增强CVD
- 物理蒸发沉降(PVD),包括E波束沉降
- 稀疏套接
- 原子层沉积
玻璃消能过程常使用化学程序,包括触点嵌入或电解沉入触点制造过程会损及玻璃完整性
不同消能玻璃的化学抗药性可大相径庭,是选择正确玻璃类型和刻刻过程的一个关键因素。8
亚博网站下载将玻璃比作其他材料
亚博网站下载可使用其他材料消毒,然而,玻璃突出显示其超常稳定温度、湿度和时间能力亚博网站下载研究显示缺少对比 常见消能素材但仍可作泛型比较6
恒定硅薄膜在太阳能电池中有许多长处,包括低沉积温度与细胞制造常用温度形成对比A-Si电影敏感多高温过程,而工业制造技术往往需要高温过程。九九
AlOX级钝化薄膜可低温使用,但在使用特定应用法时可受慢沉降速度限制这可能为高通量技术制造问题,如太阳能电池生产九九
Polyimide常见消毒素以强度和热稳定性闻名,易被水分吸收这会影响保护涂层的强度和二电性能,使半导体完整性面临风险10
Glass消音应用
钝化玻璃显示瓦化消毒和封装过程的异乎寻常性能这使各种半导体设备受益,包括:8
玻璃可用于太阳能电池消能在最近的一项研究中,研究人员开发出一种方法,用高温增强二硅酸玻璃消能过程提高太阳能电池效率11
另一项研究磷酸玻璃显著改善少数载量体的实际寿命和太阳能电池整体性能,结构内有纳米晶状硅和晶状硅12
Mo-SciGlass Thin电影专业
智能设备受欢迎度和汽车和航空航天部门的进步将看到半导体消能玻璃市场在未来几年持续增长3
Mo-Sci在玻璃独特性能方面的专门知识允许创建定制解决方案,确保包括玻璃密封板和玻璃涂层在内的多种应用的可靠性和性能
参考并深入阅读
- Pehkonen,S.O.等2018年第二章-自大Ultrathin电影编译减少腐蚀:概论亚博老虎机网登录界面科技doi.org/10.1016/B978-0-12-813584-6.00002-8
- Lu,Q.等2018年第五章-多边电子应用亚博网站下载高级聚类素材doi.org/10.1016/B978-0-12-812640-0.00005-6
- 可靠商业透视半导体消能玻璃市场-GlobalView和预测2023-2028可用地址 :https://www.reliablebusinessinsights.com/purchase/1365249?utm_campaign=2&utm_medium=cp_9&utm_source=Linkedin&utm_content=ia&utm_term=semiconductor-passivation-glass&utm_id=free2024年1月5日登录
- 肖特被动镜可用地址 :https://www.schott.com/en-hr/products/passivation-glass-p1000287/technical-details2024年1月5日登录
- 中市2022年半导体设备通过分子动态模拟使用非态铅光化消化层属性和机制陶瓷国际doi.org/10.1016/j.ceramint.2022.07.191
- Hansen,U等(2009年)强压波片玻璃拼接E-Beam反射Procedia化学doi.org/10.1016/j.proche.2009.07.019
- 高夫斯技术薄膜半导体制作中PVD系统革命可用地址 :https://korvustech.com/thin-film-semiconductor/2024年1月5日登录
- 肖特技术镜:物理技术属性可用地址 :https://www.schott.com/-/media/project/onex/shared/downloads/melting-and-hot-forming/390768-row-schott-technical-glasses-view-2020-04-14.pdf?rev=-1
- 博尼利亚R.S.等2017年电面静态硅电池:审查物理状态Solididoi.org/10.1002/pssa.201700293
- Babu,S.V.等(1993年)。多层铜/多极化可靠性国防技术信息中心可用地址 :https://apps.dtic.mil/sti/citations/ADA276228
- 辽族B等2021年解锁二叉式工业通道消能太阳能电池光电演程doi.org/10.1002/pip.3519
- Imamura等2018年纳米晶体Si层/晶体Si太阳电池有效消化太阳能doi.org/10.1016/j.solener.2018.04.063
亚博网站下载信息源码审查并改编自Mo-Sci提供的材料
详情请访问莫西