商业的成本和性能引发光发射光谱仪(OES)工具取决于很多东西,包括探测器技术用于仪器的类型。
最近,互补金属氧化物半导体(CMOS)探测器已成为一个更好的选择光电倍增管(PMT),是从汤姆斯电荷耦合器件(CCD)探测器,仍在工业环境中使用。
最新一代的特色分析结合CMOS探测器提供增强的灵活性和能力为客户提供最新的软件。这就是为什么制造商,如日立、喜欢CMOS探测器。
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海洋能探测器技术
简单来说,光学发射光谱学(OES)涉及创建一个本地化的等离子体在现场的分析,然后分析等离子体的光谱来确定哪些元素存在于样品。所有眼观社会探测器需要检测这些光信号并将其转换为可测量的电信号。
然而,使用的材料检测和放大亚博网站下载的方法photo-generated电子成可测量的量探测器技术之间的不同。历史上,首选探测器OES技术要么是光电倍增管(pmt)或电荷耦合器件(ccd)。
pmt真空管,加速和放大生成的电子,在ccd的许多感光像素数组是集成到一个完整的半导体器件,是直接连接到检测电子产品。
pmt高度专业化的探测器可以探测一些特定元素的存在与非常低的检测极限。
相比之下,ccd可以检测到更大范围的元素,但灵敏度较低的水平,使他们不太适合应用,如融化分析、流浪汉和微量元素的控制非常低的限制是至关重要的。
光探测芯片
CMOS技术是一种广泛使用的半导体地形技术以其高速度和最小在集成电路静态功耗。这允许更多的设备集成到一个小空间里没有过热的风险。
因此,cmos的设备,如微处理器,内存,和asic已经成为占主导地位的现代技术。
当用于光探测,CMOS设备功能类似于ccd。他们有一个感光像素数组,跨各种波长的入射光转换成电信号。
虽然互补金属氧化物半导体技术并不新鲜,最近的事态发展使它更有效率和更少的嘈杂的光学应用。
CMOS生产普遍存在,这使得它相对便宜而专业CCD制造。因此,相机制造商越来越选择CMOS技术在CCD的图像捕捉组件的数码单反相机。
芯片还具有快速多路复用读出电子,使其适合应用速度是至关重要的,例如在分析任务。
日立的OE系列
OES仪器由日立开发利用ccd(电荷耦合器件)作为他们的探测器类型,除了最新的OE系列,使用CMOS探测器。探测器类型都是从汤姆斯,可以适应在光学系统覆盖全面。
OE系列集成cmos探测器的灵敏度范围和一个新的光学设计提供一定程度的性能,以前只有实现更昂贵的仪器。
此外,OE系列低运营成本和相对较小的足迹,同时仍然能够检测的整个频谱在金属元素,包括气体,如750年OE。
OE720,覆盖的波长174 - 690纳米,而OE750, CMOS探测器涵盖119纳米到766纳米,使它能够分析所有相关元素氢金属内向上。
这是由于高分辨率、动态范围、和线性CMOS探测器优化紫外线测量,也可以用于TRS(时间分辨光谱)。
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