由于硅是地球上第三大元素(仅次于铁和氧),因此无疑是一种容易获得的原料。它是太阳能电池和电子设备的重要组成部分,但必须先进行纯化,然后才能用于这些目的。
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分开也很方便硅从普通的沙子中降低铁在铁下的焦炭。
技术硅具有三种主要类型:无定形,多晶和单晶。为了达到冶金级纯度,大多数元素硅首先是制造作为铁西硅合金的。
将大约15%进一步完善至半导体纯度。电子应用在99.999999%的水平上需要极高的纯度。
Czochralski技术,其中种子晶体被悬浮在半导体级硅的熔融浴中,并在保护性环境下旋转时轻轻绘制,通常用于创建单晶硅。结果是一个单一的,长的球形水晶铸币,可以重几百磅。
然后,该晶体将是直径的精确地面,并将电线被丝滑到圆盘中,以额外磨削,以使其平坦和厚度,然后将其抛光至规格。由于越来越大的直径光盘的半导体行业处理益处,水晶增长技术至少已经直径至少300毫米。
尽管单晶硅自然表现出半导体,但可以用其他元素掺杂以产生P型或N型硅。离散电子组件和集成电路的开发是主要应用。高性能光伏组件,例如太阳能电池有几种用途。

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熔融硅用于铸造多晶硅。尽管它与晶体生长的材料的纯度或电效率相同,但它仍然用于太阳能应用,因为它价格便宜。
由于多年来对精确晶片制造的需求增加了多年的需求增加,因此,标准的硅晶片可在商业上很容易在商业上使用,并且经常由半导体公司内部制造。晶片是使用高度自动化技术制造的,使其非常实惠。
自1947年以来,Insaco获得了精确衡量和塑造各种技术陶瓷所需的知识和工具。Insaco以较大尺寸的单晶硅购买适当的规格,并准确地为用户的设计制造了独特的特征。
国家实验室的特定研发计划已从此处受益。
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财产 |
价值 |
机械的 |
密度 |
2.33 gm/cc |
硬度 |
1150 knoop |
抗拉强度 |
16.4 kpsi |
弹性模量 |
18.8-27.3 x 106psi |
抗弯强度 |
43.5 kpsi |
泊松比 |
0.28 |
断裂韧性 |
3-6 MPA M1/2 |
电气 |
介电常数 |
11.8(@ 1 MHz) |
音量电阻率 |
10-3OHM-CM |
热的 |
热膨胀系数 |
2.6 x 10-6/°C |
导热系数 |
156 W/MK |
比热 |
0.15 cal/g°C |
最高工作温度 |
1350°C |
光学的 |
折射率 |
1.54 |
传输带 |
IR范围内的0.30-37波长(微米) |
除非另有说明,否则所有特性均处于室温下。
工程数据是代表性的,并且不打算绝对也不保证。所显示的制造商的数据来自多个来源,因此说明了市场。

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