俄歇电子能谱(AES)是一种广泛流行的分析技术利用在材料科学和微电子学,尤其是在半导体行业。亚博网站下载亚博老虎机网登录本文考察俄歇电子显微镜的基本知识,其优点、局限性,其利用半导体行业。
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俄歇电子能谱(AES)是什么?
分析不同类型的基质的特性包括基本分析技术的应用被称为俄歇电子能谱(AES)。它可以生成表面图像的几种导电层厚度和半导体材料,收集信息和化学成分的材料。亚博网站下载
使用AES
AES已经被用于探索各种surface-mediated流程,包括细长的一代电影和涂层基质以及吸附、催化反应、氧化/还原、光化学和溶解/沉淀反应。所有的元素都可以被AES,除了H和他。
俄歇效应- AES的工作原理
AES方法利用俄歇效应发现关键细节的接口不同的材料。亚博网站下载移除一个电子从一个轨道较低的轨道能量通常是通过与另一电子碰撞导致俄歇效应的发生。因此,有一个空缺,最终将由一个电子从一个更高的轨道能量。
二次电子将发送剩余能量通过它获得自由原子的动能,而仍在驱逐了在此期间。一个俄歇电子的电子从一个原子以这种方式出现。
俄歇电子拥有一个非常精确的动量和动能时释放。电子的能量由一个精确的分析是至关重要的获得数据图像表面的基本配置和礼物。
俄歇电子能谱学的优点
这是一个高度敏感的光谱技术具有准确的检测能力甚至纳米尺度的区域。所有元素的元素分析和原子质量大于3可以准确地执行。丰富的解析度,映射可以生成组件在衬底表面。这非常有助于弄清楚如果材料是同构或异构的接口组成。亚博网站下载
外层的密度在衬底平台上也可以决定使用深度剖析模式获得离子溅射枪。监控放在物质理化条件的变化在很大程度上依赖于能力收集分子在纳米尺度地层数据。
此外,记录钻敏感性因素可能被用来制造半定量评估,或标准可以相比。
俄歇电子能谱学的局限性
在AES提供的各种优势,需要解决一些局限性。
AES只能分析导电材料和半导体电子在材料,因为他们可以迅速传播。亚博网站下载这是因为AES依赖的利用高能电子束表面进行调查。因此,它通常不适合评估绝缘材料。亚博网站下载
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材料界面污染几乎总是盛行,迫使一些预备涂层消融。亚博网站下载材料必须适用于超高真空的环境。由于潜在的有害影响,材料易燃或可燃下电子束不应该学习。亚博网站下载
AES分析仪器
一个AES设备app亚博体育本质上是一个增强的扫描电镜,另外有一个离子溅射枪,一个俄歇电子探测器,超高真空室。
标准照片是由AES通过刺激聚焦电子束的表层。专门的AES调查,这些图片提供的组件或纹理轮廓图可以用来定义对象的兴趣。场发射电子源是现代AES中常用设备,使空间分辨率少于5纳米。
为了去除表面杂质,的离子光束也将聚焦脉冲电离气体(通常是氩)的样本。任何吸附剂蒸汽将确定半导体“收到”,一直以来与周围的环境联系AES源于几个原子层表面的材料。
在半导体行业中使用
收集必要的数据,半导体行业依赖于强大的AES和溅射腐蚀过程。
AES做出了重大贡献的超大规模集成(VLSI)技术,其中包括离子设备植入高掺杂剂数量以最小层深度。超大规模集成框架中使用的高掺杂剂浓度水平创造了一个机会为AES补充离子质谱(SIMS)分析。
接触交互是另一种情况钻特性尤其有用。肖特基势垒连接,形成一个障碍的潜力和具有解决品质与pn结相似,是一个金属与半导体之间的联系。无数的AES的调查主要集中在金属半导体界面化学反应,这决定了障碍出现。
最新的研究
根据最新的研究发表在应用科学亚博老虎机网登录小说和高效的制造技术,半导体制造是至关重要的。高度统一(fdt)山姆电影制造和使用AES分析来确定他们的效率。三个领域包括两个黑暗区域和一个孤独的光区域选择进行分析。
648 eV,明显的氟化物KLL钻粒子(F1)被发现在黑暗的两个地区。yabo214O1、O2 KLL俄歇电子的氧元素被发现在479 eV和502 eV,分别。氟KLL俄歇电子浓度更高的地区1和3(分别为11.7%和10.3%),fdt山姆模式,比面积2(0.36%),含有二氧化硅的结构。
分析结果表明,fdt山姆电影设计基于蒸汽涂层方法非常符合fdt山姆电影模式创建使用芯片制造过程。
简而言之,可以肯定地说,利用AES计量技术在半导体行业是高度有利于产业规模最先进的纳米级制造。
从AZoM:财政部的最新改进,在半导体器件中使用
引用和进一步阅读
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