研究人员和行业已经使用透射电子显微镜(TEM)研究半导体的叠加和混乱的缺点。本文考虑了晶体结构的分析。
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晶体缺陷堆积层错和混乱等确定材料的力学性能。亚博网站下载他们也可能显著影响半导体电子性质,因为他们作为电荷载流子散射中心发光设备和太阳能电池。混乱的描述就密度而言,位错类型和分布对理解力学性能至关重要。
电子显微镜和晶体结构
他们被广泛用于分析晶体的大小和形态在所有其他晶体的结构特征。TEM和扫描电子显微镜(SEM)图像可以直接观察晶体的粒径。然而,新兴市场的固有缺点是粒子数,可以检查总是有限的。yabo214另一个限制是它没有提供一个准确的估计的微晶尺寸和晶体的长度的任何迹象。
很多晶体定义良好的方面,表现为多面体。扫描电镜图像,提供一个3 d的印象与图像来自不同方面的对比,可以帮助研究这些多面体。然而,除非使用电子背散射衍射(EBSD),确定晶体取向方面的扫描电镜图像是不可能的。
然而,很难看到粒子形态的扫描电镜图像由于分辨率极限粒度非常小。相反,TEM图像是经常使用的,但他们的应用程序很难认出多面体。软件分析也可以用来研究多面体的晶体。
EM可以帮助分析晶体颗粒的化学成分,它还可以用来研究晶体的地区。yabo214电子能量损失谱、元素映射和元素分布粒子也可以配备EM得到样品的成分变化的详细结果。
即使互易定理表明,扫描透射EM (STEM)和透射电镜成像有相同的衍射对比,干细胞不是广泛用于缺陷描述。相比其他方法的水晶元素分析,STEM-based基本面分析有很大的优势。这是因为干细胞减少电子束与样品之间的互连,从而大大减少样品损失。
缺陷研究
使用EM调查固体缺陷是一种常见的和重要的研究领域。点缺陷、分层缺陷,反相缺陷,孪生缺陷、堆积层错,域结构和混乱中常见缺陷,研究者和行业研究。
在反相双缺陷分析,可以看出他们两人有相同的刨床边界。他们的存在被证实在晶体通过显示黑暗契约线边界当标本平行在TEM和SEM观察。还必须指出的是,点阵模式转变了一半的单位细胞两边的边界时,这些缺陷存在于晶体。关于的TEM分析缺陷,没有晶格条纹清晰可见,但图像的变化对比验证缺陷的存在。
他们还有助于晶体点缺陷的研究。值得注意的是,不同的安排需要研究不同类型的点缺陷在晶体。点缺陷的图像也可以用来理解晶体中的其他重要参数。
点缺陷也是重要的研究了解晶体生长,及其透射成像通常很难定量衡量点缺陷浓度和结构。TEM依赖于衍射和干涉效应,它并不是随机分布的点缺陷非常敏感。此外,TEM样品厚度相当于一个单元电池,所以学习一个点缺陷是很困难的。然而,使用扫描电镜和高分辨率透射电镜点,有效地研究晶体缺陷。
最近的研究
在最近的一项研究发表在杂志上关键的评论在固体和材料科学亚博老虎机网登录,研究人员探索三个晶体在SEM分析:电子背散射衍射,电子通道对比成像,菊池衍射传播。根据研究,三种方法和不同的分析技术必须用于精确的晶体电子显微镜的研究。
在另一项研究发表在杂志上先进、结构和化学想象,研究人员系统地分析了位错汉堡向量和位移向量的晶体使用扫描电镜和低千电子伏(凯文)。实验在一个专门配置的工具,允许研究人员控制试样取向和设置双梁条件。
从AZoM:微通道板在电子光谱仪探测器
引用和进一步阅读
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