本文认为不同的光致抗蚀剂材料,利用半导体行业,不同光刻胶涂层的方法。亚博网站下载
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半导体可以称为最广泛利用现代世纪物质由于其巨大的优势在同行。现代计算机,交通行业,电信行业,电子产品,以及商业和军事装备都使用半导体。
多晶晶片用于制造半导体。一个300毫米硅晶片可以创建数以百计的芯片。光刻胶涂料和材料制造的一个重要组成部分,它们的主要亚博网站下载成分制造的半导体光刻过程。
这是micro-synthesis技术涉及光致抗蚀剂的化学物质的使用几何图案转移到半导体衬底或电影。在光刻胶的光刻阶段管理、发展、和剥离,光刻胶的化学物质被释放。
介绍了光致抗蚀剂材料亚博网站下载
光刻胶是一种光敏物质,用于生成一个结构化覆盖衬底上光刻等各种手续。它们由聚合物、增敏剂和溶剂。每个元素都有特定的目的。当暴露于辐射、聚合物的结构进行修改。
溶剂使光刻胶被扭曲和薄层形成在硅片上。最后,敏化剂,也被称为一种抑制剂,调节聚合物网络的光化学过程。
类型的光阻利用半导体行业
两个不同的光阻在半导体制造是利用光刻。它们称为积极的和消极的光阻。
正光阻化合物越来越被暴露在辐射后吸收剂。光活化的化学、基体树脂、天然载体溶剂、稳定剂,聚合阻断剂,粘度控制化学品、染料、增塑剂都包含在这些光阻。
负光阻材料涂料交联,并成为发展中液体当暴露于辐射的棘手。聚异戊二烯中可以找到各种各样的消极的光阻。这些光阻是由感光化学品,non-photosensitive化学物质,和载波液体。中经常用到光敏材料、叠氮化-光阻。亚博网站下载正光阻是最常见的在制造业。聚烷基醛、异戊二烯和聚甲基丙烯酸酯目前采用光阻。
不同的半导体光刻胶涂层技术是什么?
每个photoresist-related技术需要使用抵抗特定厚度的层在一个特定的分子基础。必要的因素,确定所需的过程用于这个目的包括膜厚度,衬底的拓扑,光刻胶材料类型。著名的方法包括旋转涂布、喷涂、浸涂、辊涂。
自旋涂层喷涂工艺是应用最广泛的,至少在纳电子学,由于其高抵抗层厚度均匀性和快速涂层。由于严重的空气中断,抵制发展明显边缘珠在平台边缘non-rotation-symmetric基质。
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喷涂是另一种广泛使用的技术在旋转涂布的地方。喷涂材料可以用于任何变量确定尺寸。抵制可以喷在三维身体(当正确安装)。与不同的形态也容易spray-coated基质,高渗透在最优条件下可能实现的优势。
然而,由于抵抗层是由成千上万的水滴,薄膜粗糙度相对较高,如果水滴会失去那么多溶剂在旅行。因为抵抗干燥前流多平台为了改变从球面到平面板,努力减少其体积和退出的界限。总有一个抵制电影清洁和边境渗透之间的权衡。
最新的研究
研究文章已经发表在纳米尺度的进步专注于一种新型光致抗蚀剂材料涂层。一个定制的量子点光致抗蚀剂制成的一种有机-无机杂化涂料层提出了。量子点(量子点)电子与纳米纳米晶体框架,2 - 10 nm的一个维度,杰出的光学特性,比如简单的波长控制由于可调大小和有限的半宽度(FWMH)发射光谱。在研究期间,QD光刻胶用于光刻是量子点的组合和光敏纳米二氧化矽丙烯酸酯陶瓷。
两种类型的super-coaters已经提出,基于硅/丙烯酸酯混合比:SC1230 SC1320。QD-PR受雇为负光刻胶在这工作。创造的自由电子的光与丙烯酸酯的暴露面积,QD-PR固化。
发布的一份红色QD-PR清晰完整的红光在10%重量在50毫米厚度,而绿色QD-PR生成一个清晰的绿色信号在40%重量相同的宽度。如果wt.量子点的百分比和程序可以进行调整,以降低这个直径,结果很可能会发现使用在QD显示设备。此外,这项工作的目的是更多的QD屏幕技术的演示令人兴奋的标本全部使用365纳米发光二极管像素模式。
未来的角度
低k1光刻方法是必要的,以提高半导体技术作为半导体组件大小不断减少。提高光电设备和成像能力,以及EUV材料、光致抗蚀剂涂料和材料的进步,是至关重要的实现真正的分辨率增强和研究的中心。亚博网站下载
简而言之,许多领域的进步做光刻胶涂料及其应用在半导体应用为未来铺平了道路。
引用和进一步阅读
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