本文主要讨论半导体装饰步骤,光刻过程,在这一特定领域最新进展。
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半导体的重要性
能够创建定义良好的特色材料在微观和sub-m亚博网站下载icrometer维度是至关重要的在一个广泛的研究领域和企业组织发展从微电子芯片和设备。自1970年代以来,半导体行业率先建立空间设计材料与亚微米精度,设置生成结构越来越复杂的趋势在当前数字化电影和小型电子产品必要的。亚博网站下载
半导体可以在笔记本电脑、消费电子、通信设备、工业设备、汽车零部件、和军事资产。app亚博体育半导体材料在这些货物执行服务亚博网站下载,如认知加工、可视化、能源控制、存储系统、电路设计和转换之间的视觉和电力来源。
半导体制造工艺
半导体和芯片制造过程由几种独特的处理阶段,导致一系列的活动可能发生在不同的特定的设备或程序在许多设施。典型的芯片生产过程包含成百上千的阶段,其中许多都在制造过程中多次执行。晶片,产生大量微小的晶体管通过物理化学过程的结合。
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一些基本制造过程包括沉积、氧化、光刻、掺杂、薄膜沉积、蚀刻、金属化、化学物质平面化(CMP),和包装。
简要说明的步骤
过程始于一个硅片衬底。晶圆是由一块99.99%的纯硅切割(锭)和精制完美。提供了一个保护层或屏蔽,二氧化硅生产或涂布在晶片上。之后,晶片涂上感光涂料被称为“光致抗蚀剂”。
积极的和消极的抵抗是两种形式的抗拒。光刻技术是一个重要的阶段,因为它设置一个芯片上的晶体管的大小。芯片晶圆片放入光刻机和受到深紫外(DUV)或强烈的紫外线(EUV)这一步的光。无用的部分框架硅衬底或涂膜消除揭示一种基本物质或使另一种物质涂布的蚀刻层。
微芯片的导电区域是由沉淀形成的导电金属到晶圆上。最后,剩余物质消除从晶片的底部,以确保结果有一个光滑,光滑的质感。
光刻是什么?
传输方法的几何形式的基础硅片被称为光刻。光敏光刻胶是沉积在晶片通过旋转涂布方法。1.5到5毫升的光刻胶溶液倒到晶圆上压力夹钳旋转速度快,使光刻胶覆盖半导体表面均匀。
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旋转涂布后,晶片是“soft-baked”移除大部分的光刻胶中的溶剂。抗拒的固体元素在衬底表面,然后暴露在空气中。只有在衬底表面的一部分暴露在环境的光敏进行化学反应。然后“hard-baked”发现晶片后一点时间来提高抵抗依从性和准备后处理的表层。
极端紫外线光刻技术,或EUV光刻技术,用于步进,这是机器,使集成电路用于电脑和其他电子设备。EUV光刻机可以在先进的微芯片模式细节。
光刻机和系统
芯片光刻设备需要三个基本技术,他们的表现是由他们决定的。第一个创新是“投影镜头的分辨率能力。”The more complicated a circuit design that can be optically conveyed, the higher the resolution capability of the lens.
“对准精度”是第二个技巧。光掩模必须改变数万次,电路设计必须雕刻在曝光过程中不断制造一个晶体管。因此,硅片,光掩模必须总是完美协调。第三个关键因素是“吞吐量。”When transistors are mass-produced, this technology is critical. Throughput is a measure of efficiency that is stated as the number of silicon wafers exposed per hour.
最新的研究
提出了一种新颖的方法研究人员发表在《华尔街日报》的一篇文章中分析和分析生物化学开发和制造半导体电泳设备十字形的通路和螺旋电极周围的微芯片电泳的分离流和capacitor-linked敏感电导检测。
整个设备成立于聚(乙二醇)丙烯酸聚合物制成使用提供基于数字信号处理3 d打印机。微流控系统的3 d打印40μm渠道使用DLP已成功提出了多国评价评价生物材料的活性氮物种。亚博网站下载这些微观产品可能被用于离子分析。通过提高操作速度,电压输出增加,直到达到最大值,之后下降。
这是归因于检测细胞的电容器:以更低的频率,墙上通道电容成为主流和吸收大部分的激励源,然而,在高频率,提供备用信号杂散电流之间的路线。即使终端制造相同的材料,电极螺旋几何证明在这里提供了一个更大的线性响应比平面电极的布局。线性响应效率是预期的增加近似一个管状电极的电极。
简而言之,光刻技术和系统进化自黎明的过程,研究重点是使其可持续和零排放。
引用和进一步阅读
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可以在:https://www.asml.com/en/news/stories/2021/semiconductor-manufacturing-process-steps
尼康,2022年。半导体光刻系统。(在线)
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