氧化锡的许多应用

已经对氧化锡的实际用途进行了重大研究（SNO₂），特别是在透明电极，电磁屏蔽，N型薄膜晶体管（TFT）太阳能电池和气体传感器等应用中。

与氧化锡相关的大多数好处与其特殊的半导体特性，低电阻和高光学透明度有关。

尽管具有广泛的适用性和有价值的特征，但相对较少的研究集中在SNO的制备上₂使用高功率脉冲磁铁溅射的膜。

高功率脉冲磁控溅射（HIPIMS）技术基于常规的磁控溅射技术。由于其异常高的目标电离速率，该技术引起了极大的关注。

HIPIMS以增加脉冲的峰值功率来起作用，从而允许磁控溅射技术提供高溅射金属电离速率，同时确保低脉冲占空比。

在具有较高振幅和低占空比的脉冲中的功率应用允许大量溅射原子和接近目标气体的电离。目标前面的致密血浆有助于维持放电，同时通过修改生长膜的微观结构来协助膜的增长。

图片来源：Hiden Analytical

氧含量是SNO制造的重要参数₂通过高功率脉冲磁控溅射的薄膜。重要的是要注意，膜的氧比可能与流量计提供的氧部分压力率不同。

氧空位将导致晶格失真，影响SNO中电荷载体的迁移率₂胶片，突出显示在溅射沉积过程中有多少氧气压力影响SNO₂电影的电导率。

由哈尔滨理工学院（HIT）的Jiaqi Zhu教授领导的研究团队对高功率脉冲反应性磁控溅射的反应模式进行了研究。

该研究还试图探索晶体结构和红外透明导电性能Snox薄膜在600°C准备的。

该研究的重点是在10至24 SCCM处溅射下溅射的效果。

注意到，反应模式由沉积在10-14 SCCM的氧部分压力的Snox膜的金属模式主导。还确定极性不饱和（101）平面是膜晶体的偏爱方向。

反应模式由沉积在16-18 SCCM的氧部分压力下的Snox膜的过渡模式主导。这些表现出首选（110）平面方向。在沉积过程中，反应以> 18 sccm的氧部分压在中毒模式下进行。

该研究的一个关键发现是，随着氧部分压力的增加，载体浓度降低至1.140×1015 cm^-3，IR在4μm时的透射率增加，迁移率增加到14.93 cm²/vs。

多余的o₂还降低了制备的Snox膜的电性能，提供了502.9Ω·Cm的最大电阻率。

研究人员利用商业静电Langmuir探针（Espion，Hiden）在过程的各个阶段观察血浆状态。测得的探头电流作为电压的函数在不同的典型氧部分电压下应用于探针。

该团队还包括Liangge Xu，博士学位。命中的学生。Lei Yang博士，分析中心的命中率测量。

参考

“反应模式控制的晶体结构以及Snox红外透明导电膜的光学和电性能”表面和涂料技术（2021）422，127506https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2021.127506

此信息已从Hiden Analytical提供的材料中采购，审查和调整。亚博网站下载

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