在OneView®来自Gatan光纤耦合的快速捕获CMOS相机,捕捉高达25 fps 16像素的图像,使其成为最好的。
通过应用STEMx™系统,扫描探针速度同步相机的帧速率获得4 d茎全速衍射数据集(300 fps 512 x 512像素)。
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的因素之一,主要抑制传统4 d干细胞技术的速度衍射图像中每个像素可以被捕获在茎的形象。
传统的CCD摄像机的帧速率是主要原因速度限制(512 x 512 30帧图像)和结果的速度茎4 d数据集可以编写和保存在磁盘上。
速度这么慢导致的数据量的限制,研究人员可以获得在一定的时间内。他们也不实际梁敏感标本容许剂量之前有限的结构改变,甚至损坏。
亚博网站下载材料和方法
一系列的实验,横截面样本孤立个体氧化锌纳米线(西北)。
演示了在以前的出版物(放置板牙。接口2016,1500598),这些纳米线的生长方向在氮化镓衬底可以直接作为衬底的函数Ga-ion轰炸,产生不同的地方表面边界NW垂直分割成不同的方向和领域。
此前,爬行的公差介绍纳米线应变和晶格失配是由测量。
然而,果断定量应变测量提出了挑战,由于beam-sensitive标本的性质和统计上缺乏足够数量的衍射测量从substrate-NW界面区域。
利用STEMx系统OneView相机,两个(256 x 85 x 1024 x 1024)数据集被收购了,每个在两分钟内,从NWs发达轰炸和non-bombarded基质。
以及平均衍射模式的视觉比较在不同界面区域,确定二维应变地图内沿正交轴衍射模式和参照不牵强附会的氮化镓衬底。
通过STEMx分析的应用套件,相对平面,平面外、剪切和旋转接口可以广泛迅速测量大型数据集(每个> 40 GB)。
总体而言,目前的应变映射结果显示字符和程度的横向应变(ε_uu)更放松的方向平行于纳米线长轴通过离子轰击区域(图1)与本地化同样强烈的横向应变点垂直于轴(ε_uu如图2所示)。
相反,相对程度的压缩应变(ε_vv)被认为是相似的。
图1所示。纳米线截面的HAADF(上)。展开图的cbe衍射图接管256 x 85像素区域对应虚线轮廓并提取使用STEMx软件如下所示。局部点的横向应变(ε_uu)晶体尺寸和压缩应变(ε_vv)如下所示。图片来源:Gatan Inc .)
图2。纳米线截面的HAADF(上)。展开图的cbe衍射图接管256 x 85像素区域对应虚线轮廓并提取使用STEMx软件如下所示。局部点的横向应变(ε_uu)晶体尺寸和压缩应变(ε_vv)如下所示。图片来源:Gatan Inc .)
为了进一步支持这些结论,进一步收集数据是必要的。目前实验表明有新的路径探索在理解和控制纳米晶体的横向外延。
这些结果可以影响深远的后果,触摸未来nanowire-based设备制造领域,例如,结合自顶向下和自底向上的制造技术和引入II-V III-nitride半导体工业过程。
总结
利用STEMx系统,快速帧速率OneView相机用于推动茎探针beam-sensitive氧化锌NWs,氮化镓基板上开发。茎4 d数据采集快速显著降低整个数据采集标本损坏之前遇到(节省时间和金钱)。
捕获的数据使用OneView相机提供了高分辨率信息与单一系统的能力直接观察大长度尺度。
智能建模的数据在整个微系统促进了纳米尺度的可视化效果。这样的结果生成见解纳米外延生长的机制和基本信息,有助于这些系统的集成到未来的技术。
这些信息已经采购,审核并改编自Gatan提供的材料,公司。亚博网站下载
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