在先进的涂层和薄膜生成系统中，沉积阶段在提高工艺效率和促进更大的基材覆盖方面起着至关重要的作用。沉积阶段能够在加工条件下以多种方式操纵基片。
由于范围沉积阶段对于给定的应用，选择正确的沉积阶段是至关重要的。
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取证阶段:基础
静态沉积阶段将基片牢固地固定在合适的位置，在沉积源的视线范围内，使用一组安装件。虽然静态沉积阶段可以配置为一系列的衬底尺寸和取向，但它们不能进行旋转或改变其温度。
为了实现高沉积速率和高水平的薄膜均匀性，沉积过程通常在超高真空(UHV)条件下进行。因此，沉积阶段被设计为特高压兼容。
沉积阶段通常能够加热和旋转基片，以及可选的射频(RF)和直流(DC)偏压。这些特性提供了更好的涂层均匀性和密度，更大的薄膜和界面应力消除和加速沉积速率，从而产生优越的薄膜形貌。
在特高压条件下定位基板
特高压设计提供了沉积阶段可选择直线、直角和横向配置，以及模块化设计，以适应任何规格。
当基片被固定在旋转支架内后，它可以被固定的加热器模块均匀加热至1200℃。
高达60转/分的基板转速有助于在整个晶圆上均匀沉积物理气相。
与传统的热解石墨加热器不同，后者在高氧分压和高温下会逐渐被氧化消耗，UVD设计的耐火加热器为延长氧化环境中的寿命进行了优化。
对于热蒸发、脉冲激光沉积和电子束、射频和直流溅射等沉积应用，这提高了效率并降低了操作成本。
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