薄膜生成和高级涂层系统关键元素,沉积级用以提高过程效率并鼓励提高基底覆盖
典型特征为自由度,操作期间可改变子串位置选择适配沉积阶段给定程序是工作流程管理关键部分
类型沉积阶段
静态沉积相位可保持沉积源直观可搭建各种基数大小向导,尽管无法改变物温或旋转
提高沉积率和鼓励薄膜更大一致性,相位生成超高吸尘器除选用无线电频率和直接电流偏差外,这些设备提供加热和旋转
这些属性使样本基底表面的准备和激活通过RF等离子嵌入法帮助清除表层污染物此外,受控晶片退火可以在膜生长前通过半导出、操作或绝缘基曲动画样本实现。
沉积级使用温度控制并选偏差使UHV条件中的高薄膜形态化并增强涂层一致性,提高密度、胶片和接口应变速率和加速沉积率
Epi中心沉积阶段及其应用
UHV设计EC-I序列沉降阶段为各种生长和沉降技术提供高性能,包括分子波束上层文法、化学蒸发沉降法和喷射法
EC-I序列阶段完全适合这些应用,提供连续基调加热、偏向性、旋转和基调传输设施与UHV应用兼容EC-I沉积级适合SEMI标准线程2至200毫米直径
Epicent沉积阶段与其他高温材料修改外,还完全适合基底退火和去气此外,GLAD沉降级可使用定向沉降源,如脉冲激光沉降、热蒸发和磁场喷射
UHV设计除模块设计外提供全行内矩形布局以适应所有规范更多从UHV获取沉积阶段解决方案 通过网站联系
亚博网站下载这些信息取自UUV DespegneLTD提供的材料并经过审查修改
详情请访问UHV设计LTD