现代电子产品的基本组成部分是半导体。更强大的、更快和更小的处理器在不断对许多服务和商品的需求,因为数字时代的到来和当前的“物联网”。
种植硅锭材料已经经历几个过程为了生产硅半导体设备,包括切割、成型、抛光和清洗进行进一步处理。抛光创建表面平面化未来光刻所必需的步骤,所以是一个关键步骤,以获得高质量的硅晶片。
抛光或平滑的主要技术之一,赌硅表面化学物质平面化或CMP。
这个过程通常包括一个固定的混合比例和浓度过氧化氢(一种强氧化剂),CMP浆(一种氧化铝液体分散或胶体硅)和去离子水泥浆混合站。
作为基民盟的一部分或化学交付单位,混合浆混合物注入多个抛光或日用油箱进行存储。
持续监控过氧化氢的浓度随着时间的推移是必需的,因为它会降低。这也是必要的,以确保可重复性和CMP的效率。检查CMP浆料总是必要的规范和调整混合范围内产品的损失。
介绍
新航或半导体行业协会,2019年报告,每年全球半导体销售额每年以6.81%的增长率增长。
晶圆是由纯硅锭切割和创造是非常昂贵的。这意味着后续处理步骤必须包含尽可能少的不必要的浪费。
CMP抛光机使单个硅片直接接触泥浆混合,从而氧化硅的表面和创建一个软硅氧化层,这就增加了抛光效率。
最佳的抛光率增加晶片产量通过保持机械抛光垫与上述过程精确的平衡。
最常用的化学氧化剂过氧化氢CMP过程,因此,大多数半导体CMP料浆中添加。
然而,他们保证在规范泥浆纯度使用前,过氧化氢浓度必须衡量整个泥浆全球分销循环,不断因为其降解特性。过程控制和化学补给需求快速响应时间通过快速在线分析。
图1所示。(左)一个典型的化学物质平面化(CMP)的过程。(右)顶视图的CMP抛光机。图片来源:瑞士万通AG)
应用程序
的2060年过程分析仪从瑞士万通过程分析允许在线监测温度、电导率、pH值和过氧化氢。
引爆器,或动态端点滴定法,用于确定端点通过测量过氧化氢浓度与铈titrimetrically使用ptr电极(IV)。提供及时的控制泥浆混合由于典型分析的频率少于5分钟。
产品来自瑞士万通过程分析产品组合允许其他测量组合,除了点测量来自几个过程流或一个过程流。每个平台允许真正的过程控制,通过保证持续提供准确、快捷的结果。
典型的范围
表1。泥浆测量参数。来源:瑞士万通公司
| 参数 |
范围 |
| 过氧化氢 |
0 - 5% |
| pH值 |
2 - |
| 导电率 |
10 - 10000μS /厘米 |
| 温度 |
20 - 65°C |
在线滴定CMP过程中受益
- CMP抛光过程增强抛光率和化学反应的控制
- 混合站提高纯度和混合的完整性
- 减少晶圆缺陷增加产品的吞吐量
- 合格的CMP浆料成分与增强晶片产量
图2。从瑞士万通2060过程分析仪在CMP过程中过氧化氢的在线监测。图片来源:瑞士万通AG)
结论
总体健康状况产生CMP浆混合物可以提供2060年瑞士万通过程分析过程分析仪及时,因为它不仅可以测量温度和电导率也pH值和过氧化氢在CMP浆料的浓度。
这些信息已经采购,审核并改编自瑞士万通公司提供的材料。亚博网站下载
在这个来源的更多信息,请访问瑞士万通AG)。