倾斜蚀刻的轮廓控制

用于形成诸如AR耳机的组合器的应用的倾斜光栅已经看到了最近的浪涌。离子束蚀刻技术是最适合的技术之一，以实现这些应用所需的光栅设计。离子束方向与通过压板角度设置的可变入射光束角度相结合，可以在纳米透明情况下实现剖面控制和特征整形。

离子束专业知识对于提供这些光栅所需的制造公差至关重要。牛津仪器等离子技术开发了一种技术，可以允许光学设计师为大师构建高质量的光栅。我们的解决方案将大型均匀加工面积与200mm晶片超过200mm晶片，成角为0°至55°。在本文中，我们分享我们在调整出色的形状控制过程方面的经验。

用于倾斜的光栅的过程调整

独特的离子束能力允许在固定的压板角度而不旋转蚀刻材料。亚博网站下载该技术可以应用于产生倾斜的光栅以及倾斜的波导刻面。图1A和1B示出了蚀刻工艺之前和之后的示意图和与设定为35°的压板角度设定的实际过程。这可以为浅层或深度蚀刻的光栅进行;典型的掩模是将金属诸如Cr或Al的金属。靶向的角度通常在35°和55°之间。

在离子束蚀刻中，压板角度定义离子的入射角。使用诸如光束电流，光束电压，加速器电压和源气流等参数实现进一步的处理调整。当蚀刻倾斜的特征时，临界参数包括填充因子，CD变化和蚀刻深度。为了满足这些要求，应仔细选择面罩的厚度，因为选择性可以限制在物理蚀刻中。然而，由于宽高比可能会影响由于遮蔽而导致的矛盾，因此不建议使用过厚的掩模。

当蚀刻倾斜的特征时，控制侧壁角度也是至关重要的，并且侧壁是多平面的。为了在沟槽两侧达到相同的深度，我们建议使用化学过程而不是纯粹的物理过程。由于倾斜的轮廓，化学副产物将在自然地形成的狭小角落中易于除去。通常，AR / CHF的混合物_3.对于SIO.₂和ar用sf_6.或Cl.₂可用于si。

蚀刻的化学和物理侧的效力也与光束电流（IB）和光束电压（VB）紧密相连。光束电流越高，化学侧的主导越多;虽然光束电压越高，但物体侧的主导越大。

光束电压驱动蚀刻的方向性，同时化学侧提供所需的各向同性和必要的材料。

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