反应离子束蚀刻活性离子束腐蚀技术适合蚀刻倾斜的特性。这项技术允许局部切除材料使用广泛的离子束。后的材料去除晶片表面碰撞加速离子和活性物种形成的离子源。控制和可重复性在定义斜特性取决于先进的离子束源配置和有经验的工艺条件的选择。
在本文中,我们描述如何牛津仪器等离子技术解决方案提供了控制处理斜光栅用作增强现实波导光耦合器组合器。我们演示控制的倾斜角度,沟深,充填率对于大型晶片大小。
高均匀腐蚀深度的倾斜的角度
等离子体均匀腐蚀的技术解决方案是基于角度的底物的活性离子束腐蚀腐蚀。倾斜角度的控制是通过等离子体技术的定制高度定向离子束加上一个可调节衬底架倾斜控制为0。目前,倾斜角度控制从35°到60°。蚀刻斜特性时,底物的角度位置引起的不均匀腐蚀深度没有旋转基板上变得更加难以控制。
实现大面积均匀腐蚀,我们专有的硬件设计补偿离子通量的不均匀性。这种设计允许优化当地的蚀刻均匀性的角度范围。来演示一个大型加工区域的一致性,200毫米二氧化矽蚀刻硅晶片上。结果显示一个优秀的均匀性对倾斜角度从35°到55°度。下面的图显示了整片光栅数据角度35°,45°,55°。
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