动态随机存取记忆体(DRAM)是大多数电子设备中使用的基本单位之一,包括笔记本电脑、智能手机、个人电脑等。这类设备的关键元素是电容和晶体管。场效应晶体管晶体管创建一个访问(基于门接触信号)电容器单元被指控和信息存储。电容器上的电荷排水缓慢,所以,需要定期刷新的信息,因此,这种记忆叫做动态。
FIB-preparation薄TEM标本半导体器件物理失效分析是一个重要的一步工作流实现每天在半导体晶圆厂。薄片需要电子——透明度的变薄,厚度,兼容设备的关键维度进行分析。因此,纳米尺度的结构,如晶体管可以清楚地解决在TEM。最小的非晶在准备薄板横向破坏也是一个至关重要的TEM成像要求。尽管low-kV FIB抛光是一种有效的技术,尽可能减少非晶层,它可以引入不必要的离子注入的风险可以限制或干扰TEM分析。
图1所示。概述STEM-BF形象的最后一层准备从一个SDRAM样本和抛光最终厚度80海里。
Xe等离子体源FIB代替高质量样品制备提供重要的优势传统Ga离子源谎言。这些优势包括减少离子注入和诱导非晶损害30 keV相比与Ga源引起的小谎。此外,Xe是一种惰性气体,防止金属化合物的形成,这个功能是特别有用的关键分析样品的物理性质没有改变当地的FIB铣削。
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