目前光学互连,激光雷达技术或面部识别的需求正在推动VCSEL行业的增长更快。VCSEL制造在世界各地迅速扩大,VCSEL制造过程必须达到更高的产量和质量。应用,如3D感测,专注于具有VCSEL阵列的最大功率转换,用于更高的组合输出功率。在阵列内,阈值电流和差分量子效率必须从激光到激光均匀。这需要对外延的非常良好的控制,但也非常良好地控制MESA的形状。由于对更密集阵列的需求增加,均匀性,线宽和宽高比的挑战出现。
凭借强大的工艺专业知识和广泛的设备理解,牛津仪器等离子技术开发了先进的等离子处理解决方案,以提供VCSEL市场所要求的设备性能和产量。在这篇白皮书中,我们专注于如何最好地控制台面的几何尺寸为150mm的晶圆片。我们回顾了实现锥形或垂直轮廓与台面深度的精确控制的关键要求。
VCSEL结构的主要制造步骤
VCSEL结构的简单性允许以非常有效的成本进行高卷制造。与边缘发射激光器相比,可以通过晶片和较大的晶片尺寸制造更多VCSEL。VCSEL的垂直制造还允许高水平的附加组件集成。照片探测器,镜子,电路和其他组件可以轻松集成到结构上,以实现船上(COB)技术的芯片。随着该技术的发展,已经开发了多种设计用于特定应用。在这里,我们看一下简化的过程流程来设计激光腔。
制造vcsel需要多个加工步骤。下面的表1给出了基于砷化镓的VCSEL制造的每个步骤的简化分解,突出了相关步骤的牛津仪器解决方案。PlasmaPro 100可在高达200mm的晶圆上提供均匀的工艺。VCSEL市场目前正朝着150mm方向发展,因此这里演示的大部分工作都集中在100mm到150mm的晶圆尺寸上。
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