最大性能的DFB光栅蚀刻

由牛津仪器等离子体技术2019年12月19日

InP具有较宽的带隙和较高的电子迁移率，是制造光电子器件的理想半导体。一个关键的应用是通信，随着数据流量的增加，这一领域正在迅速扩展。

最大性能的DFB光栅蚀刻

InP使得能够在高频率下工作的组件能够获得更多的数据量。特别是，它为激光二极管制造提供了引人注目的优势，提供了卓越的功能，具有竞争力的价格。当设计和制造得到优化时，InP激光器可以在宽的温度范围内提供高光谱纯度和光功率。此外，1100 - 2000 nm的波长范围是光纤通信的最佳波长范围。因此，为InP激光器的生产建立具有成本效益的处理战略直接支持通信的进步，以支持不断增长的数据传输需求。

图1所示。用橙色突出显示的是制造InP激光器所涉及的处理步骤和使用等离子体处理方法实现的步骤

在这篇白皮书中，我们研究了等离子体处理技术在InP激光二极管制造中的作用，重点讨论了DFB光栅的电感耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP-RIE)的相对优点。主要目的是突出不同工艺的相关特性，并展示如何将它们最佳地应用于组合，以有效地制造高性能激光器。

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美国心理学协会
牛津仪器等离子体技术。(2019年12月19日)。最大性能的DFB光栅蚀刻。AZoM。于2021年10月21日从//www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=18705检索。
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牛津仪器等离子体技术。“最大性能的DFB光栅蚀刻”。AZoM．2021年10月21日。< //www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=18705 >。
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牛津仪器等离子体技术。“最大性能的DFB光栅蚀刻”。AZoM。//www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=18705。(2021年10月21日生效)。
哈佛大学
牛津仪器等离子体技术。2019。最大性能的DFB光栅蚀刻．viewed september 21, //www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=18705。