与高电子迁移率相结合的InP的性质使其成为制造光电器件的理想半导体。密钥应用程序是通信，这通过增加的数据流量迅速扩展。
INP使得能够制造能够在高频上运行的组件，允许更高卷的数据。特别是它为激光二极管制造提供了令人信服的优点，以竞争价格提供出色的功能。当设计和制造经过优化的INP激光器提供高光谱纯度和光功率，在宽温度范围内。此外，可实现的1100-2000nm波长范围是光纤通信的最佳选择。因此，为INP激光器生产的成本效益的处理策略直接支持通信的进步，以支持增加对数据转移的需求。
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图1。使用a的INP激光结构。表面分布式反馈和B.埋藏分布式反馈
在本白皮书中，我们研究了对InP激光二极管制造中的等离子体处理技术在电感耦合等离子体化学气相沉积（ICPCVD），等离子体增强CVD（PECVD），反应离子蚀刻（RIE）和ICP-RIE的相对优点中的作用。主要目的是突出不同流程的相关特征，并展示如何组合地最佳地应用，以有效地制造高性能激光器。
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