等离子体沉积的最大性能

InP具有较宽的带隙和较高的电子迁移率，是制造光电子器件的理想半导体。一个关键的应用是通信，随着数据流量的增加，这一领域正在迅速扩展。

等离子体沉积的最大性能

INP使得能够制造能够在高频上运行的组件，允许更高卷的数据。特别是它为激光二极管制造提供了令人信服的优点，以竞争价格提供出色的功能。当设计和制造经过优化的INP激光器提供高光谱纯度和光功率，在宽温度范围内。此外，可实现的波长范围为1100 - 2000nm是光纤通信的最佳。因此，为INP激光器生产的成本效益的处理策略直接支持通信的进步，以支持增加对数据转移的需求。

图1所示。用橙色突出显示的是制造InP激光器所涉及的处理步骤和使用等离子体处理方法实现的步骤

在这篇白皮书中，我们研究了等离子体加工技术在InP激光二极管制造中的作用，重点讨论了电感耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)和等离子体增强CVD (PECVD)的相对优点。主要目的是突出不同工艺的相关特性，并展示如何将它们最佳地应用于组合，以有效地制造高性能激光器。

想知道更多吗?点击这里阅读全文。

此信息已被采购，从牛津仪器等离子体技术提供的材料进行审查和调整。亚博网站下载

有关此来源的更多信息，请访问牛津仪器等离子体技术．