SiC RF设备高性能GaN的基本步骤

SiC RF设备上的GAN变得越来越重要，可以实现今天通信所需的有效高频设备。AlGaN / GaN 2DEG的高电子迁移率可实现具有低功率损耗的快速切换时间。构建这些设备需要精确控制等离子处理，而无需此知识设备寿命和性能将受到损害。牛津仪器等离子体技术通过先进的技术和流程专业知识提供解决方案。

设备结构

基于GaN的RF器件提供了诸如开关速度和功率密度的其他材料的许多优点。亚博网站下载GaN的内在材料特性如宽带隙，高电子迁移率，高导热率和高击穿电压使其成为高功率高频器件的良好性能选择。然而，原生GaN基板非常昂贵，由于技术障碍，可能会保持可预见的未来。GaN RF的基板选择目前在Si和SiC之间。

Si便宜，可广泛地提供高达300mm的晶片直径，但它具有缺点，因为晶格错配和热膨胀差的共同效率很大，除非包含复杂的应力浮雕结构，否则在顶部生长的GaN中产生缺陷。

虽然碳化硅的晶格匹配更接近，但它仍然相对昂贵，晶圆的直径被限制在150mm。如果考虑生长GaN的质量和衬底成本平衡，SiC是许多应用的衬底选择。然而，通常用于基片的SiC是半绝缘的，这在器件制造链中增加了一定的工艺要求，特别是通过晶圆片，使其能够与有源器件进行背面接触。

图1所示。基于GaN的RF设备详细信息

图1是完成的器件的原理图。它显示了生长在SiC衬底上的GaN RF器件的几何特性。这些特性中的许多都需要等离子体处理才能实现。牛津仪器作为先进等离子处理工具的供应商，实现了这些工艺步骤。

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