Oxford Instruments Plasma Technology开发了一套创新的等离子工艺解决方案，旨在实现碳化硅（SiC）器件性能的最大化。碳化硅具有一套独特的理想性能，用于功率器件制造，并正逐步应用于实现新的和令人兴奋的技术所需的突破性性能。碳化硅是一种宽带隙半导体，具有很高的击穿场和热导率。这些固有的优势使得电力设备的生产能够很好地满足工业对更小、更轻、更高效、能够在高温下工作的技术的迫切要求。碳化硅功率器件在电源/功率因数校正和光伏应用方面已经有了一定的优势和可观的市场。即将到来的是电动和混合动力汽车（EV和HV）以及相关的基础设施。从长远来看，大幅节省效率的空间是相当大的，远远超出了这些关键应用。
在这篇白皮书中，我们考虑等离子体处理的作用及其在定义器件性能和应用的最佳策略中的重要性。我们还研究了初级SiC器件的结构，如肖特基势垒二极管（sbd）和金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）。
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图1。基本的SBD结构的限制是，在反向偏压中，峰值电场与MetalSexymardion界面巧合，可以说是设备的最弱点。
切换到SIC的影响
在电子电源电路中，功率半导体器件执行开关，整流器或放大器的功能。定期使用的设备包括SBD，MOSFET，双极连接晶体管（BJT），结FET（JFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。这些设备中许多的共享特性是，当“关闭”时，它们必须抵抗电流的反向流动。具有高反向击穿电压。相反，“抗性优先非常低，以最小化热/功率损耗。
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