失效分析(FA)是一个重要的组成部分,半导体器件制造它是根的侦探工作缺陷,帮助保持一致,可靠的制造高质量的组件。
在这个白皮书提出一套FA的等离子体处理工具,目的是提供实际的指导,他们是否适合不同的任务。发现错误的一种方法和诊断其来源是各种设备的进步和精确去除层暴露嵌入式电路结构。现代集成电路的密度(ICs)意味着湿蚀刻过程为这个法医的任务不再是可行的,他们现在已经流离失所更复杂的等离子体处理技术。等离子体蚀刻允许精确和可重复的机构扁平化,而等离子体沉积使感兴趣的保形涂层的特性,一种装饰技术,这提供了生产所需的鲜明对比成像。
图1所示。因为Very-Large-Scale-Integration (VLSI)开始于1970年代集成电路设计变得越来越密集和复杂,为FA创造了一个重大的挑战。Cepheiden礼貌。
等离子体增强的优点(PE)蚀刻、反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合等离子体(ICP)腐蚀的材料被认为是经常遇到的。亚博网站下载等离子体增强化学气相沉积(PECVD) "和原子层沉积(ALD)比较装饰应用。
想知道更多吗?点击这里阅读全文。
这些信息已经采购,审核并改编自牛津仪器等离子技术提供的材料。亚博网站下载
在这个来源的更多信息,请访问牛津仪器等离子技术。