VSCEL台面制造的先进端点控制技术

由牛津仪器等离子体技术2019年12月19日

VCSEL市场的规模越来越多，需要展示大容量，高质量的制造需求。制造VCSEL中最关键的步骤之一是孔的形成。富含氧化铝层在富含氧气的高温下在炉中氧化在炉中。然后P MESA的干蚀刻过程旨在在氧化前暴露富铝层。

VSCEL台面制造的先进端点控制技术

孔径在叠层中的位置将取决于VCSEL制造商选择的设计和目标电光性能。为了允许VCSEL供应商制造特定的设计，干蚀刻工艺因此必须能够在外延堆栈内的任何一层停止。一层接一层的蚀刻必须在最后一层进行精确控制，在整个晶圆上进行演示。

氧化物约束设计变型1(上)和2(下)

图1所示。氧化物约束设计变型1(上)和2(下)

传统的时间控制蚀刻处理能够支持高度可靠的制造，然而，端点技术通过允许运行蚀刻变化和进入材料靶厚度的变化，使蚀刻深度更紧密地分布到目标层。现有的端点方法已经被量身定制，以满足VCSEL制造的高产量、高成品率的要求。通过结合强大的工艺专业知识和对设备的深入理解，牛津仪器等离子技术开发了先进的等离子处理解决方案，以实现当前和未来的VCSEL设计。

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