TESCAN S8000X用于原位纳米探测的亚20nm节点去层

由TESCAN USA Inc .)2019年7月9日

物理失效分析的通常工作流程包括使用纳米探针和导电AFM等电特性来去除薄片和缺陷隔离，然后通过透射电镜中的可视化和材料分析来进行缺陷表征。

TESCAN S8000X用于原位纳米探测的亚20nm节点去层

工作流中的解处理和电表征步骤仍然使用多种工具。传统的去处理技术是粗糙的，缺乏局部精度，最终表面粗糙，因此特定的去处理和电表征现在可以通过一个单一的工作机器，TESCAN S8000X等离子FIB-SEM实现。在所有的东西中，产生一个高度的平面性(低于5纳米的RMS表面粗糙度)，便于纳米探针的获取和最小的外来离子注入，可以改变器件的电气性能是最关键的。由BrightBeam™SEM柱提供的高分辨率成像增强了极低keV成像，并通过无源电压对比度(PVC)照亮有缺陷的线路。高分辨率的实时成像与电流40岁以下200 eV / 500 eV pA和Kleindiek探测飞船PS8原位nanoprobing功能派上用场测量电流-电压特性现场解释的缺陷或功能单元结构像PMOS和NMOS晶体管sub-20纳米设备。

TESCAN S8000X是一款双束流仪器，配备了SEM柱BrightBeam™SEM，具有出色的超低kev成像能力(500和200 eV束流能量和40 pA束流)——无需束流减速——和新的iFIB⁺™Xe⁺等离子体FIB具有广泛的束流能量(30 keV至3 keV)和电流范围(1 pA至2 μA)，以包含多个应用基础。Xe⁺等离子FIB-SEM系统非常适合一些关键的半导体失效分析应用-其中之一是去层。

Xe等离子体FIB在10 nm节点工艺中的气体辅助去层。(左)一个100 × 100µm²的延迟窗口概述(右)在200 eV下成像的感兴趣层。

Xe等离子体FIB在10 nm节点工艺中的气体辅助去层。(左)100 × 100 μm²延迟窗口概述(右)200 eV下感兴趣层成像。

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TESCAN USA Inc .)

特斯拉于1991年由一群来自特斯拉的管理人员和工程师创立，其电子显微镜的历史始于20世纪50年代，今天的特斯拉是全球知名的聚焦离子束工作站，扫描电子显微镜和光学显微镜的供应商。TESCAN的创新解决方案和与客户的合作性质使其在纳米和微技术领域处于领先地位。该公司自豪地参与了在一系列科学领域的著名机构的首要研究项目。TESCAN在价值、质量和可靠性方面为客户提供一流的产品。TESCAN USA inc .)的北美手臂TESCAN奥赛控股一家跨国公司合并建立的TESCAN捷克公司,全球领先供应商的sem和聚焦离子束工作站、物理奥赛和法国公司,世界领先的定制的聚焦离子束和电子束技术。

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美国心理学协会
TESCAN USA Inc . .(2019年12月13日)。TESCAN S8000X用于原位纳米探测的亚20nm节点去层。AZoM。2021年7月3日从//www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=18250取回。
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TESCAN USA Inc . .TESCAN S8000X用于原位纳米探测的亚20nm节点去层。AZoM．2021年7月3日。< //www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=18250 >。
芝加哥
TESCAN USA Inc . .TESCAN S8000X用于原位纳米探测的亚20nm节点去层。AZoM。//www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=18250。(访问2021年7月3日)。
哈佛大学
TESCAN USA Inc . .2019.TESCAN S8000X用于原位纳米探测的亚20nm节点去层．AZoM, 2021年7月3日观看，//www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=18250。