硅Wafers纯度效率测试指南

以硅为基础的技术在能源产业中一直发挥着关键作用。支配太阳能市场目前拥有超过90%的市场份额

此外,持续推进硅(例如通过硅晶生长法和增强效率、纯度等)正在巩固其在近期能源产业中的强势位置。

亚博网站下载关于技术、科学和工程工作,建立半导体材料热异性热传导性至关重要。光电产业驱动器提高光电模块生成效率关键是要能够建立这些值,因为更高的效率是高热传导性直接函数

举此例子使用LFA457微波^®温度物理属性为0.7毫米厚硅片测量(图1)。热传导率和热异性持续下降,温度范围从-100摄氏度到500摄氏度不等专用热容量使用差分扫描量测法确定(DSC 204F1凤凰^®)标准偏差数据点 < 1%

图1LFA和DSC测量-100摄氏至500摄氏

Wafer-STA-MS检测大样本质量中最小缺陷

最重要的质量控制参数之一是用于现代技术的硅片纯度可使用热分析技术检验有机污染,如DSC(局部扫描量分析)、TGA(热算分析)或进化气分析器加TGA-DSC(STA同步热分析)。温度范围从-180摄氏度至24摄氏度不等,可使用数种连字符法

其中包括:

• TGA、DSC或STA-FT-IR
• TGA或STA-GC-MS
• TGA、DSC或STA-MS
• TGA、DSC或STA-MS通过Skimmer^®并发

这些连字符方法还可能包括MS和FT-IR同时连接热分析器

例子中用同步热分析器STA449F木星^®并发质谱库QMSAECOLOS系统^®质谱仪

STA-MS测算硅片m/z15、78和51与500摄氏度至800摄氏度间质量损阶相关

碎硅瓦片(1.6g)投进大 Al₂O级₃熔炉体积3.4毫升样本再加热800摄氏度,加热速率为10K/min有机成分释放后,两小块损耗级数(0.002%和0.008%)在700摄氏度前发生

显示清晰显示时,此处仅显示质量数m/z1551和78质量数是环氧树脂涂层的正常片段

亚博网站下载这些信息取自NETZSCH-GerätebauGmbH提供的材料并经过审查修改

详情请访问NETZSCH-GerätebauGmbH