使用聚焦离子束（FIB）方法准备TEM Lamella时，窗帘是一个常见的问题。窗帘是样品不均匀稀疏的结果，并将其作为样品边缘的粗糙度表示。这种影响会影响以下分析的质量和所拍摄图像的质量。
当样品是异质的，即用不同材料产生的，因为这可能导致变薄的速率。亚博网站下载本文将通过使用Omniprobe 400纳米式旋转函数更改样品的离子束稀疏/抛光方向来探索减少窗帘的程度。
当样品由硬材料组成时，窗帘最为极端，该材料在软材料上方或内部被缓慢地铣削而成，该材料会迅速铣削。在半导体故障分析中通常是这种情况，尽管在许多其他应用中也存在。在这些情况下，最好的铣削几何形状是从样品的前侧变薄（背面稀疏）。
本文将显示如何使用综合杆400纳米管剂和无所不能的持有人，可用于防止窗帘。该文章还将证明如何通过使用AZTEC评估机器中的薄片质量来节省时间®layerprobe。
样品制备
要进行背面，必须进行多个步骤（图1），重新定位TEM网格，探针的旋转是最重要的部分。
图1。生产背面稀薄的TEM拉梅拉的步骤。薄片是通过常规铣削（a）制备的，然后将样品旋转（b），并抬出薄片（c）。通过旋转探针，样品相对于离子束（d）成倾斜的90º。完整的180º旋转是通过将网格旋转到90º的旋转来实现的，该网格可允许背面变薄（E）并去除窗帘（F）。重要的是要注意，所使用的旋转取决于探针的脱离角度（TOA），并且给定仪器有多种组合。
这综合400端口安装，这意味着它具有一个恒定的操纵器脱离角度，可以确定探针的所需旋转。另外，探针的构造旋转意味着可以迅速进行旋转而不会出现问题。
可以使用omnipivot网格持有人重新定位TEM网格，从而降低与网格直接操纵有关的风险。
先进的稀疏
图1所示的样本是一种3D NAND闪存设备，例如在商用固态硬盘驱动器中发现的闪光灯，该驱动器具有嵌入在硅基板中的文字线和W缝隙。还从同一设备中采集了对照样品，该设备使用常规方法在相同的铣削参数上进行了稀释。图2比较了两个样品的薄片，以证明背面稀疏的好处。
图2。（a）通过常规稀疏从3D NAND闪存设备制备的样品。在SI基质中测得的厚度曲线L1显示厚度突然变化。（b）使用相同的FIB条件的同一设备的背面稀薄升降机。从SI基质中取出的厚度轮廓L2显示出光滑均匀的薄片厚度。
使用AZTEC层Probe确定硅底物的厚度，并使用该值来确定变薄的程度。该过程是通过EDS进行的，并在铣削步骤之间重复，并用一系列EDS点来确定厚度。
据观察，使用常规方法制备的薄片是粗糙的，随机厚度的变化约为60 nm，而使用背面稀疏制备的样品则具有光滑的表面，没有随机变化。
结论
产生用于TEM分析的Lamella可能是故障分析的限制步骤，因为可能需要多个FIB来支持一个TEM系统。
本文表明，使用lamella的快速背面变薄综合杆400纳米管剂和宾至如归的人。可以使用AZTEC层构图来确定薄片厚度，从而确保在TEM分析之前具有足够的质量，可以监视此过程。
该信息已从牛津仪器纳米分析提供的材料中采购，审查和改编。亚博网站下载
有关此消息来源的更多信息，请访问牛津仪器纳米分析。