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有几种计算机内存和有其缺陷,这就是为什么现代计算机技术使用几种内存。
计算机世界各地的研究人员正在努力创建更好的数据存储设备,金本位是一个“通用的”记忆装置的速度内存,硬盘的存储空间和一个闪存驱动器的稳定性。
基于铁电薄膜的非易失性内存一个很有前景的发展目前处于研究阶段。基于铁电薄膜存储器设备“记得”通过存储外电场的方向基于剩余极化电荷。
薄膜铁电体被用来使内存设备一段时间。大约十年前,这一概念提出了计算机内存中演示了超薄单晶铁电性质后钙钛矿的电影。在实施这项技术的主要挑战是使系统数据存储密度足够高,因此高存储容量在一个很小的区域。铁电体的采用也受到他们是由“不兼容”的材料标准微电子的生产过程。亚博网站下载
铁电材料是绝缘体,不导电。亚博网站下载然而,如果材料层非常薄,电子可以通过使用一组概率“通过”,由于这种现象称为量子隧道效应。隧道的可能性取决于大小和形状的势垒(结构)的能量品质的电子发生在“通过”建立一个隧道电流。
与铁电薄膜储存信息
在铁电隧道结中,数据可以写通过发送一个电压电极和一个超薄铁电,它可以读取通过确定隧道电流。从理论上讲,这种内存应该有一个令人难以置信的高密度、快速阅读和写作速度,和低程度的用电。它可以成为一个非易失性替代传统DRAM(动态随机存取存储器)技术。
现代DRAM的保留时间相对较短,之后必须丢失或覆盖的信息,因为这,DRAM技术需要一个相对大量的权力。记忆建立在铁电隧道结将能够拯救这种力量,这对便携式电子设备是有价值的。然而,直到最近,铁电体没有兼容的硅基技术由于生产流程。
在一个2016年的研究,科学家描述的多晶合金的氧化铪电影能够保留硅衬底的铁电性质。电影是由原子层沉积(ALD),这是广泛使用的今天制造微处理器。
ALD的明确的好处之一是,它允许创建功能层的三维结构。由于结构材料的研究是适合硅技术,新型非易失性存储设备与铁电多晶氧化铪的表可以直接放置在硅片上,科学家在研究说。
在一个2017年的研究研究人员宣布,铁电薄膜设备的另一个主要的一步:创建一个灵活的存储设备。
小说描述的研究过程来创建铁电薄膜在低温范围,结合碳基有机半导体时尚高度灵活的存储设备。这个新设备平台能够与其他灵活的集成电子技术。
我们做了一个低压、非易失性、垂直有机使用二氧化铪薄膜晶体管。这一水平的细节可能只是激动人心的对于那些在电气工程领域。对其他人来说,这意味着这是一个实际的发现与真正的应用程序。
雅各布·琼斯教授,材料科学与工程,北卡州立大学亚博网站下载亚博老虎机网登录
一个全功能的原型开发的团队保留其功能即使弯曲1000次,这项研究说。
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