RF GDOes通常用于对薄膜和厚膜的非常快速的元素深度分析。所有元素，包括氢（H），都可以测量，这在许多领域都是必不可少的，例如腐蚀研究1，用于PV2，在冶金中3，用于开发氢存储材料亚博网站下载4对于所有聚合涂料研究5。
最敏感的H发射线在VUV范围内为121,567 nm。
尽管MS光谱法用于同位素分离，但H可以在具有足够分辨率的光谱仪中与其同位素氘（D）分离：H和D的两个发射线分别在121,567 nm和121,534 nm，分别为30 nm皮图。
D轮廓可用于融合遇到等离子体的组件6和腐蚀研究7。
仪器
在最敏感的波长下测量H和D所需的光谱仪在VUV范围内非常有效。使用专用的Horiba科学光栅，这是可能的。光栅在2阶的衍射阶段有效，可以同时用2个HDD检测器对H和D进行测量。
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ta（h）Ti（d）/ni分层结构中H，D，D，TA，Ti和Ni的深度曲线（来自参考文献6）
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溶胶凝胶聚合物涂层在Al上
血浆清洁
在GD操作中，样品不植入真空室中，因此表面污染始终存在。因此，在腐蚀研究中首选D轮廓，因为它没有歧义，而H可能是由于腐蚀或表面污染而引起的。
下面的示例显示了植入H的Si样品的深度曲线。
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表面H可以使用血浆清洁操作最小化8这是Horiba仪器中的标准操作，于2009年首次引入。它将样品暴露于非常低的能量的等离子体（通常在脉冲操作模式下小于3 w，没有诱导溅射），但足够活跃以诱导表面吸收。例子。
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血浆清洁条件
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在第7届GD日，N。pushilina确实显示了在血浆清洁充分优化后获得的Ti样品中H的校准。
h处于接口
如果表面的H可能与表面污染有关，则界面处的H峰可以与残留层的存在或样品中的空隙相关。下面的示例与H峰与与空隙的TEM横截面相关联。
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H检测。存在空隙。
参考和进一步阅读
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- V. Moutarlier等。“发光排放光发射光谱：一种分析薄电沉积聚苯胺膜的互补技术”薄固体膜550（2014）27-35。
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