OLED薄膜的XPS深度曲线

由...赞助Kratos Analytical，Ltd。2018年2月27日

由于他们在固态照明和平板显示器中的有希望的应用，有机发光二极管吸引了大量的兴趣。OLED由位于两个电极之间的有机材料组成，响应电流发光;其中一个电极通常是透明的。两件事对OLED的性能至关重要 - 该有机薄膜的组成化学及其与电极界面的化学特性。本文介绍沉积在氧化铟锡上的OLED层的组成变化。将通过新型材料掺杂的Tris（4-咔唑-9-基苯基）胺沉积在ITO上至约150nm的厚度，如椭圆形测定法所表征。

采用团簇模式的气簇离子源(GCIS)进行深度剖面。目前，单原子氩通常被氩团簇取代，以减少精细有机分析物的表面损伤¹．在每个蚀刻周期之前和之后，XP光谱可以看到关于表面的化学和元素状态的定量变化。同时用UPS检测了材料的HOMO电子态和功函数。

对于现代分析，在样品上执行多个分析技术更适合否定样品处理和治疗的变量，并帮助直接比较数据。使用轴上的自动化方法Supra，可以在采集期间无干预创建多技术实验。本文通过深度分析OLED设备顺序地逐行逐步逐步逐步划分，而无需气体处理或手动干预。

结果

在软件中选择了XPS/UPS/GCIS深度剖面法轴同上．在每个腐蚀周期之前和之间获得UPS和XPS光谱。对于这个样品，5kv Ar₁₀₀₀+是选择的蚀刻条件，典型的精细聚合物材料。亚博网站下载调查光谱获得的相对深度剖面最终获得(图1)。它可以被观察到的表面浓度N, O和C最初改变第一次蚀刻后,随后,组件元素的浓度保持稳态所有的散装材料。

在界面处，基体材料中锡和铟的含量增加，相应的有机元素含量迅速下降。其组成达到了预期的ITO的化学计量比。通过这种多模态方法，UPS的光谱结构可以直接与薄膜的表面成分和相对深度进行比较。图2显示了表面HOMO态作为蚀刻函数的演化——光谱为了清晰度而偏移，未蚀刻的表面在垂直方向上最低。

在完成第一蚀刻循环时，在9.25eV，6.93eV和4.01eV表示OLED材料的不同密度，有3个不同的特征。这些功能继续恒定，直到达到界面存在突然发生分布时。两个更高的能量特征在于倾斜梯度的显着增加，下降到同性恋边缘点。这种变化不断地保持在ITO基板中。每个蚀刻循环的摄影的变化如图3所示。首先，记录了4.35eV的表面。在第一蚀刻循环之后，这降至4.26eV，并继续使用每个循环略微减少。对于批量ITO，该值在界面处减少到3.9eV。

5 kV ar1000 +薄膜的深度曲线。

图1所示。5 kV Ar.₁₀₀₀+薄膜的深度曲线。

薄膜HOMO区域

图2。薄膜的HOMO区域(光谱随腐蚀周期垂直偏移)。

截止地区

图3。截止区域(光谱随腐蚀周期垂直偏移)。

结论

本文演示了如何运行指定的方法来执行XPS-UPS.使用氩离子的新型有机电子器件的深度分布。该方法使用户可以直接比较在UPS光谱中看到的电子特征的变化和表面成分的变化。指定的方法是自动化的，不需要分析员的人工或计算干预。这是一种真正的“点击即走”连字符技术。

致谢

感谢釜山大学提供的样品制备和仪器时间。

参考资料及进一步阅读

A. G. Shard，S. Ray，M. P. Seah，L. Yang，Surf。界面肛门。2011,43,1240-1250。DOI 10.1002 / SIA.3705

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奎托斯分析,有限公司. .(2020年1月03)。OLED薄膜的XPS深度剖面。AZoM。2021年7月3日从//www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=15258取回。
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奎托斯分析,有限公司. .2020.OLED薄膜的XPS深度曲线．Azom，浏览了03年7月2021日，//www.washintong.com/article.aspx?articleid=15258。